[发明专利]电流源有效

专利信息
申请号: 202010010421.8 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN113075953B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 王俊;龚宏国 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电流
【权利要求书】:

1.一种电流源,根据电源电压输出输出电流,其特征在于,包括:

第一电流镜,包括第一NOMS管和第二NMOS管,适于接收输入电流,并向钳位NMOS管输出第一输出电流,所述输入电流与所述电源电压有关;以及

钳位模块,适于控制所述第一NMOS管的漏极电压与所述第二NMOS管的漏极电压相等;

其中,所述第一输出电流与所述第一NMOS管的漏极电流相等;

电流补偿电阻,所述电流补偿电阻的第一端与所述第二NMOS管的漏极耦接,所述电流补偿电阻的第二端接地;

输入电阻,所述输入电阻的第一端接收所述电源电压,所述输入电阻的第二端与所述第一NMOS管的漏极耦接;

所述输入电阻的阻值与所述电流补偿电阻的阻值相等。

2.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于,还包括:

所述电流补偿电阻,适于根据所述第二NMOS管的漏极电压,输出第二输出电流;

其中,所述输出电流的电流值为所述第一输出电流与所述第二输出电流之和,所述输出电流与所述电源电压线性相关。

3.根据权利要求2所述的电流源,其特征在于,当所述第一NMOS管的栅极电压增大时,所述第一输出电流减小,所述第二输出电流增大,所述第一输出电流与所述第二输出电流之和不变。

4.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于,所述钳位模块包括:

放大器,其正向输入端与所述第一NMOS管的漏极耦接,反向输入端与所述第二NMOS管的漏极耦接,输出端与钳位NMOS管的栅极耦接;以及

钳位NMOS管,其漏极与电流源的输出端耦接,源极与所述第二NMOS管的漏极耦接。

5.根据权利要求4所述的电流源,其特征在于,所述放大器包括:

第三NMOS管,栅极与所述第一NMOS管的漏极耦接,源极接地;

第四NMOS管,栅极与所述第二NMOS管的漏极耦接,源极接地;以及

第二电流镜,其输入端与所述第三NMOS管的漏极耦接,输出端于所述第四NMOS管的漏极耦接。

6.根据权利要求5所述的电流源,其特征在于,所述第二电流镜包括:

第五PMOS管,其漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接,源极接收外接电源;以及

第六PMOS管,其漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接,源极接收外接电源,栅极与所述第五PMOS管的栅极耦接。

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