[发明专利]一种晶圆片翘曲度的测试方法有效
申请号: | 202010003641.8 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111192837B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 陈跃华;彭从峰;卜志超;陈时兴 | 申请(专利权)人: | 浙江百盛光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人: | 李仁义 |
地址: | 314022 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片翘 曲度 测试 方法 | ||
本发明公开了一种晶圆片翘曲度的测试方法,包括以下步骤:(1)呈竖直设置一标准平镜,使所述标准平镜平行于重力方向;(2)加载晶圆片;(3)调整所述晶圆片与所述标准平镜之间的间距;(4)调整所述晶圆片与所述标准平镜呈面与面平行;(5)启动测试模组,使所述测试模组相对于所述标准平镜作平行移动扫描,通过设置在所述测试模组上的传感器分别对所述传感器的探头至所述晶圆片的距离进行采样和所述传感器的探头至所述标准平镜的距离进行采样;(6)将获得的所述距离采样值进行数据处理程序处理,得出所述晶圆片的翘曲度参数;本发明的优点是:当晶圆竖直放置测试,晶圆面内刚度大,可大幅度减小重力的影响,减小形变,测试方法便捷简单。
技术领域
本发明涉及晶圆片表面参数测量领域,特别涉及一种晶圆片翘曲度的测试方法。
背景技术
在集成电路在片制造中,为增加产能和降低成本,大尺寸硅晶圆应用越来越广;同时为了提高片性能与封装密度,发展三维封装技术要求对大尺寸硅晶圆进行减薄加工。减薄过程中产生的残余应力导致硅晶圆产生翘曲变形,将会増加硅晶圆在传输和后续加工中的碎片率。硅晶圆的翘曲变形是评价硅晶圆加工质量的重要技术指标,也是分析硅晶圆加工残余应力、优化减薄工艺的重要依据。在石英晶圆的应用中,大多数是以平放进行加工,迫切需要消除重力变形的影响后的数据平面测量数据,特别是WARP值和BOW值。晶圆原始面形的数据比重力变形后的数据更具有价值。重力变形后的数据因放置方法不同而导致测量结果存在很大的测量差异,难以成为标准。
在美国和日本的晶圆片测试仪中,大多数是通过平面放置的方式来对晶圆片进行测试,但同样也没有对重力变形产生的测量数据进行补偿;或者进行补偿后精度又难以得到保证。现有测试晶圆片表面平面度的方法一般有扫描法、探针法、位相干涉法等。CN101261306B的中国发明公开了一种全自动晶圆测试方法及实现该测试方法的设备,该方法按如下步骤顺序进行:a、扫描片盒:片盒相对晶圆探测传感器上下移动,晶圆探测传感器探测到片盒中晶圆后向控制器发送信号,控制器记录当前晶圆的运动位置和序号以及厚度;b、取片;c、粗调;d、送片;e、精确对准:晶圆测试平台装置移动到安装槽内的光学系统镜头下面,图像采集装置采集晶圆图像,计算机对采集得到的图像进行建立模板,模板匹配,把处理结果转化为运动参数发送给运动控制卡,运动控制卡控制电机驱动机构,使得晶圆测试平台装置动作,对不同位置进行图像采集处理,直到满足要求为止;f、测试:横向直线导轨与纵向直线导轨及其滑动驱动装置移动到使得晶圆能够与探针接触的位置后计算机向测试仪器发送开始测试信号,测试仪器测试完毕后向计算机发送测试完毕和测试状态信号,计算机获得测试完毕信号后查看测试状态信号,根据状态信号输出测试报告并把下一个管芯与探针接触,循环上述过程直到整个晶圆都测试完毕为止;g、放回晶圆。该方法同样也是对晶圆片进行水平测试,不能够避免重力形变对测试结果造成的影响,并且也没有对重力影响进行补偿,使得测试结果的精确度得不到保障。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆片翘曲度的测试方法,通过将晶圆片在竖直状态下进行测试,能够有效解决重力对测试造成影响导致精确度不够的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种晶圆片翘曲度的测试方法,包括以下步骤:
(1)呈竖直设置一标准平镜,使所述标准平镜平行于重力方向;
(2)加载晶圆片;
(3)调整所述晶圆片与所述标准平镜之间的间距;
(4)调整所述晶圆片与所述标准平镜呈面与面平行;
(5)启动测试模组,使所述测试模组相对于所述标准平镜作平行移动扫描,通过设置在所述测试模组上的传感器分别对所述传感器的探头至所述晶圆片的距离进行采样和所述传感器的探头至所述标准平镜的距离进行采样;
(6)将获得的所述距离采样值进行数据处理程序处理,得出所述晶圆片的翘曲度参数;
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