[发明专利]一种晶圆片翘曲度的测试方法有效
申请号: | 202010003641.8 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111192837B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 陈跃华;彭从峰;卜志超;陈时兴 | 申请(专利权)人: | 浙江百盛光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人: | 李仁义 |
地址: | 314022 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片翘 曲度 测试 方法 | ||
1.一种晶圆片翘曲度的测试方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)呈竖直设置一标准平镜,使所述标准平镜平行于重力方向; (2)加载晶圆片; (3)调整所述晶圆片与所述标准平镜之间的间距; (4)调整所述晶圆片与所述标准平镜呈面与面平行; (5)启动测试模组,使所述测试模组相对于所述标准平镜作平行移动扫描,通过设置在所述测试模组上的传感器分别对所述传感器的探头至所述晶圆片的距离进行采样和所述传感器的探头至所述标准平镜的距离进行采样; (6)将获得的距离采样值进行数据处理程序处理,得出所述晶圆片的翘曲度参数; (7)卸载所述晶圆片,测试完成; 其中,所述步骤(4)还包括平行调整步骤;所述平行调整步骤包括启动设置在所述晶圆片和所述标准平镜之间的测试模组,使所述测试模组相对于所述晶圆片中心线垂直扫描晶圆片,通过设置在所述测试模组上的传感器分别对所述传感器的探头至所述晶圆片的距离和所述传感器的探头至所述标准平镜的距离进行采样;将获得的距离采样值进行数据处理,得出所述晶圆片相对于标准平镜之间的角度,通过调整旋转轴,使其与所述标准平镜呈面与面平行;所述传感器与所述晶圆片和所述标准平镜间呈等距设置;在步骤(5)完成后,将所述晶圆片垂直旋转180°,再重复步骤(5),补偿支撑点对所述晶圆片造成的误差;所述晶圆片通过一抱持机构及两个支撑点竖直支撑;所述抱持机构夹持于所述晶圆片的两侧,所述抱持机构的夹持力为0.5-3克。
2.如权利要求1所述的晶圆片翘曲度的测试方法,其特征在于:在所述步骤(5)中,所述晶圆片与所述传感器的探头的距离设置范围为15±1.3mm,所述测试模组的扫描速度最大为100mm/s,采样间距为0.1-300mm。
3.如权利要求1所述的晶圆片翘曲度的测试方法,其特征在于:在所述步骤(5)中,所述晶圆片与所述传感器的探头的距离设置范围为15±1.3mm,所述测试模组的扫描速度最大为100mm/s,采样间距为0.1-300mm;所述晶圆片与标准平镜的调整范围为20-40cm。
4.如权利要求1所述的晶圆片翘曲度的测试方法,其特征在于:所述传感器为光谱共焦原理的位移传感器。
5.如权利要求1所述的晶圆片翘曲度的测试方法,其特征在于:包括X模组、Y模组和Z模组;所述Y模组用于所述晶圆片与所述标准平镜间距的调整,所述Y模组的调整范围为20-40cm;设于Z模组两端的两个传感器,用于分别测量晶圆片和标准平镜的厚度变化,所述X模组和Z模组分别用于控制所述测试模组相对所述标准平镜在X-Y平面作平行移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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