[发明专利]对准标记的中心坐标的生成方法

说明书

本发明提供一种对准标记的中心坐标的生成方法，所述生成方法包括取得至少一个对准标记单元,所述对准标记单元至少包括对准标记；对所述对准标记单元提取所述对准标记的至少一部分,建立所述对准标记的映对标记；以及就所述映对标记,计算出所述映对标记的中心坐标。本发明通过提取出对准标记中具有对称性的映对标记额外做中心坐标的计算，进而得到精准的对准标记的中心坐标。

技术领域

本发明涉及半导体电路布局领域，尤其涉及一种对准标记的中心坐标的生成方法。

背景技术

对准标记(alignment mark)在半导体制程中扮演着非常重要的角色。在半导体制作过程中，为了使光掩模版(又称光罩)上的图案能够正确的转移到晶片(wafer)上，关键步骤在于光掩模版与晶片的对准，尤其在半导体工艺日渐纯熟以及特征尺寸(CriticleDimension,CD)越来越小的情况下，对于对准标记在电路布局(layout)中的精准位置的要求也变得更加严格。然而，半导体的种类及制程不断地在更新与修改，每次的更新与修改都必须重新生成对准标记在曝光坐标系统(shot)中的中心坐标以利辅助电路布局的进程，因此通常会建立中心坐标脚本(script)进行所述中心坐标的计算与生成，但生成出来的所述中心坐标通常是不精准有偏差的，需要进一步通过人为计算加以修正。因此为了能够有效率并且正确地生成对准标记的中心坐标，有必要提供一种对准标记的中心坐标的生成方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准标记中心坐标的生成方法，进而有效率并且正确地生成对准标记的中心坐标以辅助电路布局的进程。

为实现上述目的，本发明一方面提供一种对准标记的中心坐标的生成方法，包括以下步骤：

取得至少一个对准标记单元,所述对准标记单元至少包括对准标记；

对所述对准标记单元提取所述对准标记的至少一部分,建立所述对准标记的映对标记；以及

就所述映对标记,计算出所述映对标记的中心坐标。

进一步地，所述映对标记为所述对准标记中,具有对称性的部分标记。

进一步地，所述映对标记为所述对准标记的整个对准标记。

进一步地，所述映对标记被建立在一个映对标记图层中。

进一步地，所述映对标记图层包括有多个映对标记，所述多个映对标记对应于来自多层芯片器件图层中的至少一层的多个对准标记。

可选地，在所述计算出所述映对标记的中心坐标后还包括有：在所述映对标记图层中，根据所述中心坐标形成完整的所述对准标记单元。

进一步地，所述对准标记单元还包括有参考信号，用以识别所述对准标记。

进一步地，所述对准标记单元来自于多层芯片器件图层的至少一层。

进一步地，所述中心坐标系藉由中心坐标脚本对所述映对标记进行计算而得到。

可选地，在所述计算出所述映对标记的中心坐标后还包括有：编写程序化脚本，用以重复步骤的执行。

本发明的有益效果为通过提取对准标记的至少一部分,建立具有对称性的映对标记，再针对所述映对标记做中心坐标的计算，进而得到精准的对准标记的中心坐标。并且为了提高本发明的利用性，可以通过中心坐标脚本来流程化所述中心坐标的计算，以减少人为计算的错误、花费时间长等问题。进一步地，本发明将上述步骤形成程序化脚本，面对不断更新及修正的制程得以快速且精准地取得对准标记的中心坐标。可见，本发明具有实质性的高度突出功效，其优势十分明显。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。