[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

活性层，其被所述基板支承，且包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域；

栅电极，以隔着栅极绝缘层重叠在所述活性层的至少所述沟道区域的方式配置；

源电极，与所述活性层的所述第一区域电连接；以及

漏电极，与所述活性层的所述第二区域电连接，

所述活性层的至少所述沟道区域具有层叠结构，所述层叠结构包含：

下部氧化物半导体层；

第一金属层，配置于所述下部氧化物半导体层上，且实质上不含氧；以及

上部氧化物半导体层，配置在所述第一金属层上，

所述第一金属层的厚度小于所述下部氧化物半导体层或所述上部氧化物半导体层的厚度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述下部氧化物半导体层、所述上部氧化物半导体层以及所述第一金属层包含至少一种共同的金属元素。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述下部氧化物半导体层和/或所述上部氧化物半导体层包括实质上不含n型杂质的i型半导体层。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述下部氧化物半导体层和/或所述上部氧化物半导体层还包括：

实质上不含n型杂质的i型半导体层；以及

含杂质半导体层，其配置于所述i型半导体层和所述第一金属层之间，且包含n型杂质。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述下部氧化物半导体层和所述上部氧化物半导体层的至少一方含有n型杂质，在所述至少一方的氧化物半导体层的厚度方向上的n型杂质的浓度分布包括随着远离所述第一金属层而减小的梯度区域。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述下部氧化物半导体层和/或所述上部氧化物半导体层的厚度方向上的氧浓度的分布包括随着远离第一金属层而氧浓度上升的梯度区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层叠结构在所述下部氧化物半导体层与所述第一金属层之间具有至少一个其他金属层，所述第一金属层和所述至少一个其他金属层隔着中间氧化物半导体层重叠，所述至少一个其他金属层的厚度比所述下部氧化物半导体层或所述上部氧化物半导体层的厚度小。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述活性层配置于所述基板与所述栅电极之间，

在从所述基板的法线方向观察时，所述栅电极与所述活性层的所述沟道区域重叠，且不与所述第一区域及所述第二区域重叠，

所述第一区域及所述第二区域的上表面分别具有电阻率比所述沟道区域的上表面的电阻率低的低电阻氧化物半导体区域。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：上部绝缘层，其覆盖所述活性层、所述栅极绝缘层以及所述栅电极，

所述源电极在形成于所述上部绝缘层的第一开口部内与所述第一区域的所述低电阻氧化物半导体区域电连接，所述漏电极在形成于所述上部绝缘层的第二开口部内与所述第二区域的所述低电阻氧化物半导体区域电连接。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述活性层包含下层和上层，所述下层包含所述下部氧化物半导体层的至少一部分，所述上层配置于所述下层的一部分上且包含所述上部氧化物半导体层以及所述第一金属层，

所述沟道区域包含所述上层及所述下层，

所述第一区域和所述第二区域分别包含所述下层，且均不包含所述上层。