[发明专利]基板处理装置、反应容器、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其具备：反应容器，其供具有支承基板的基板支承区域的基板支承工具以及设于基板支承区域的下部的隔热部插入，在反应容器的内壁的与基板支承区域相对置的部分的下侧配置有朝向反应容器的内侧突出的突出部的端部；以及向基板供给处理气体的气体供给部。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、反应容器、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

作为半导体器件(部件)的制造工序的一个工序，有进行在收容至处理室内的基板上形成膜的成膜处理(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2018-166142号公报

发明内容

在进行半导体部件的制造工序的一个工序的基板处理装置中，追求提高制造生产能力。

本公开的目的在于提供一种提高基板处理装置的制造生产能力的技术。

根据本公开的一个方式，提供一种技术，其具备：反应容器，其供具有支承基板的基板支承区域的基板支承工具以及设于所述基板支承区域的下部的隔热部插入，在所述反应容器的内壁的与所述基板支承区域相对置的部分的下侧配置有朝向所述反应容器的内侧突出的突出部的端部；以及向所述基板供给处理气体的气体供给部。

发明效果

根据本公开，能够提高基板处理装置的制造生产能力。

附图说明

图1是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是用纵向剖视图示出处理炉部分的图。

图2是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是用图1的A-A线剖视图示出处理炉部分的图。

图3是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的气体供给系统的概略构成图。

图4的(a)是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是用纵向剖视图示出处理炉部分的图，图4的(b)是图4的(a)的B-B线剖视图。

图5的(a)是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的变形例的概略构成图，图5的(b)是图5的(a)的B-B线剖视图。

图6的(a)是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图，图6的(b)是图6的(a)的B-B线剖视图。

图7的(a)是在图4的(a)中用点划线示出的区域Z的放大概略图，图7的(b)是在图5的(a)中用点划线示出的区域Z的放大概略图，图7的(c)是在图6的(a)中用点划线示出的区域Z的放大概略图。

图8的(a)是示出气体流路的变形例的图，图8的(b)是示出气体流路的另一变形例的图，图8的(c)是示出气体流路的另一变形例的图，图8的(d)是示出气体流路的另一变形例的图，图8的(e)是示出气体流路的另一变形例的图，图8的(f)是示出气体流路的另一变形例的图。

图9的(a)是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图，图9的(b)是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图。

图10是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图。

图11是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图。

图12是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的纵型处理炉的另一变形例的概略构成图，是用横截面示出处理炉部分的图。

图13是在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是用框图示出控制器的控制系统的图。

图14是示出在本公开的一个方式优选使用的基板处理装置的动作的流程图的一例。

图15是示出本公开的一个方式中的成膜时序的一例的图。

图16是示出向低温区域的气体流入量的仿真结果的一例的图。

具体实施方式