[发明专利]晶片制造方法以及晶片

说明书

本发明提供一种晶片制造方法，所述晶片具有槽口部，所述晶片制造方法包括如下工序：双面抛光工序，抛光晶片的两个主面；槽口镜面抛光工序，镜面抛光槽口部的槽口倒角部；外周镜面抛光工序，镜面抛光晶片中外周部的外周倒角部；以及精抛工序，精抛晶片的一个主面，在按照槽口镜面抛光工序、双面抛光工序以及外周镜面抛光工序的顺序进行这些工序后，进行精抛工序。

技术领域

本发明涉及一种晶片制造方法以及晶片。

背景技术

一直以来，进行用于提高晶片的槽口部附近的平坦性的研究（例如，参考专利文献1）。

专利文献1中公开了将最后的抛光处理后槽口部的深度和槽口部中倒角部在径向的宽度之和调整为900μm以下。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-157796号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，在如专利文献1的结构中，为了提高槽口部附近的平坦性，需要调整槽口部的深度，根据情况有可能在后面的工序中变成无法利用槽口部的深度。

本发明的目的在于提供一种能够提高槽口部附近的平坦性而不伴随槽口部形状的改变的晶片制造方法以及晶片。

用于解决技术问题的方案

本发明的晶片制造方法中，所述晶片具有槽口部，所述晶片制造方法的特征在于包括如下工序：双面抛光工序，抛光所述晶片的两个主面；槽口镜面抛光工序，镜面抛光所述槽口部的槽口倒角部；外周镜面抛光工序，镜面抛光所述晶片中外周部的外周倒角部；以及精抛工序，精抛所述晶片的一个主面，在按照所述槽口镜面抛光工序、所述双面抛光工序以及所述外周镜面抛光工序的顺序进行这些工序后，进行所述精抛工序。

根据本发明，能够提高槽口部附近的平坦性而不伴随槽口部形状的改变。

在本发明的晶片制造方法中，所述晶片优选为硅晶片。

本发明的晶片是具有槽口部的晶片，所述晶片的特征在于，所述槽口部的槽口倒角部的边缘滚降量小于所述晶片中外周部的外周倒角部的边缘滚降量。

附图说明

图1是本发明的关联技术所涉及的晶片制造方法的流程图。

图2是所述关联技术及本发明的一实施方式所涉及的晶片制造方法中使用的双面抛光装置的示意图。

图3A是表示槽口部的抛光进行状况的示意图，表示所述关联技术中的抛光进行状况。

图3B是表示槽口部的抛光进行状况的示意图，表示所述一实施方式中的抛光进行状况。

图4A是所述关联技术及所述一实施方式的晶片制造方法中使用的槽口抛光装置的侧视图。

图4B是所述关联技术及所述一实施方式的晶片制造方法中使用的槽口抛光装置的俯视观察时的局部放大图。

图5A是所述关联技术及所述一实施方式的晶片制造方法中使用的外周抛光装置的侧视图。

图5B是所述关联技术及所述一实施方式的晶片制造方法中使用的外周抛光装置的平面图。

图6是所述关联技术及所述一实施方式的晶片制造方法中使用的精抛装置的示意图。

图7是所述一实施方式的晶片制造方法的流程图。

图8是表示本发明的实施例的结果的图表。

具体实施方式

[关联技术]

首先，作为本发明的关联技术，对上述专利文献1中记载的晶片制造方法进行说明。