[发明专利]晶片制造方法以及晶片在审
| 申请号： | 201980086186.8 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN113439008A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 鸟居勘太郎 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B9/00;B24B37/08;B24B37/10;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;张一舟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片制造方法，所述晶片具有槽口部，所述晶片制造方法的特征在于包括如下工序：
双面抛光工序，抛光所述晶片的两个主面；
槽口镜面抛光工序，镜面抛光所述槽口部的槽口倒角部；
外周镜面抛光工序，镜面抛光所述晶片中外周部的外周倒角部；以及
精抛工序，精抛所述晶片的一个主面，
在按照所述槽口镜面抛光工序、所述双面抛光工序以及所述外周镜面抛光工序的顺序进行这些工序后，进行所述精抛工序。
2.根据权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，
所述晶片是硅晶片。
3.一种晶片，其具有槽口部，所述晶片的特征在于，
所述槽口部的槽口倒角部的边缘滚降量小于所述晶片中外周部的外周倒角部的边缘滚降量。
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