[发明专利]用于反射VUV辐射的光学元件和光学布置

权利要求书

1.一种用于反射VUV波长范围内的辐射(11、21)的光学元件(4)，包括：

基板(41)和施加到所述基板(41)并具有至少一个铝层(43)的反射涂层(42)，

其特征在于，

将用于分解分子氢(H₂)的至少一个氢催化层(45)施加到所述铝层(43)上。

2.根据权利要求1所述的光学元件，其中，所述氢催化层(45)的材料选自包括Ru、Pt、Pd、Ni、Rh的组。

3.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述氢催化层(45)的层厚度(D)在0.1nm和3.0nm之间，优选在0.1nm和1.0nm之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学元件，其中，所述氢催化层(45)不完全覆盖所述铝层(43)。

5.根据权利要求4所述的光学元件，其中，所述氢催化层(45)以在10％至90％之间的覆盖度覆盖所述铝层(43)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学元件，还包括：至少一个保护层(46)，所述至少一个保护层(46)被施加到所述铝层(43)和所述氢催化层(45)。

7.根据权利要求6所述的光学元件，其中，所述保护层(46)形成封闭层。

8.根据权利要求6或7所述的光学元件，其中，所述保护层(46)由透明的、特别是氟化物的材料形成。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的光学元件，其中，所述保护层(46)由能够通过用所述VUV波长范围内的辐射(11、21)辐照和/或通过与氢气(H₂)接触而剥离的材料形成。

10.根据权利要求9所述的光学元件，其中，所述保护层(46)由碳或至少一种碳氢化合物形成。

11.一种用于VUV波长范围的光学布置，特别是晶片检查系统(2)或VUV光刻设备(1)，包括：

内部(122a、24a)，其中布置至少一个光学元件(121、220、221；140、141；4、5、6)，以及

至少一个进气口(123、26、52a-f)，用于供应气体(H₂)到所述内部(122a，24a)，

其特征在于，

所述光学元件(121、220、221、4)如权利要求1至10中的任一项所述地设计，以及所述进气口(123、26)被设计用于供应氢气(H₂)到所述内部(122a，24a)。

12.根据权利要求11的前序所述的光学布置，特别是如权利要求11所述的光学布置，

其特征在于，

等离子体产生装置(50、60)，用于经由所述进气口(123、26、52a-f)向所述内部(122a，24a)供应等离子体气体(54a-f)，以至少在所述光学元件(5、6)的光学表面(5a，6a)的一个部分区域(55a-f)中产生大气压等离子体(51、61)。

13.根据权利要求12所述的光学布置，其中，所述等离子体产生装置(50、60)被设计用于在所述光学元件(5、6)的光学表面(5a，6a)上产生氢等离子体(51、61)。

14.根据权利要求12和13中任一项所述的光学布置，其中，所述进气口被设计为等离子体喷嘴(52a-f)，用于将所述等离子体气体(54a-f)供应到所述光学表面(5a)的至少一个部分区域(55a-f)。