[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜以及使用了该液晶取向膜的液晶显示元件在审

专利信息
申请号: 201980080517.7 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN113168054A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 新津新平;巴幸司;相马早纪;佐藤夏树 申请(专利权)人: 日产化学株式会社
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;C08G73/10;C08L79/08
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 液晶 取向 以及 使用 液晶显示 元件
【说明书】:

本发明提供一种能得到蓄积电荷的缓和快、电荷的蓄积量小的液晶取向膜的液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件。本发明的液晶取向剂含有下述的聚合物(A)和聚合物(B)。聚合物(A):通过四羧酸衍生物成分与包含下述式(1)所示的二胺和下述式(2)所示的二胺的二胺成分的反应而得到的聚合物。聚合物(B):通过四羧酸衍生物成分与包含下述式(3)所示的二胺中的至少一种的二胺成分的反应而得到的聚合物。其中,Y2为具有与芳香族基团键合的氮原子或含氮芳香族杂环的二价有机基团。H2N‑Y2‑NH2 (3)。

技术领域

本发明涉及一种液晶取向剂、由该液晶取向剂得到的液晶取向膜以及具备所得到的液晶取向膜的液晶显示元件。

背景技术

液晶显示元件广泛用作个人计算机、便携式电话、智能手机、电视机等的显示部。液晶显示元件例如具备:液晶层,夹持于元件基板与滤色器基板之间;像素电极和共用电极,对液晶层施加电场;液晶取向膜,控制液晶层的液晶分子的取向;以及薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor),对供给至像素电极的电信号进行转换(switching)等。作为液晶分子的驱动方式,已知:TN(Twisted Nematic:扭曲向列)方式、VA(Vertical Alignment:垂直取向)方式等纵电场方式;IPS(In-Plane Switching:平面转换)方式、FFS(Fringe FieldSwitching:边缘场开关)方式等横电场方式。其中,与纵电场方式相比,液晶分子相对于基板平行地转换的横电场方式具有宽的视角特性,此外,作为能够进行高品质等级的显示的液晶显示元件而已知。

作为对液晶元件的显示品质等级造成影响的因子,已知液晶取向的均匀性、以及液晶单元的电压保持率、电荷蓄积特性等。例如,在电压保持率低的情况下,无法对液晶施加充分的电压,显示对比度降低。此外,在电荷在液晶单元内蓄积的情况下,会扰乱液晶的取向,或者引起残像、残影等现象,使液晶元件的显示品质等级显著降低。

特别是,与纵电场方式相比,在横电场方式中在基板内形成的电极部分少,因此电压保持率容易降低,或因像素电极与共用电极的距离近而强电场作用于取向膜、液晶层,因此电荷容易蓄积等,因电压保持率、电荷蓄积特性的不足而导致的不良状况容易变得显著。此外,在横电场方式中,若液晶的取向限制力弱,则在长时间驱动液晶时,液晶无法回到初始的取向状态,导致对比度降低或成为残像的原因,因此液晶取向膜的取向限制力也变得重要。

对于如上所述的横电场方式的问题,提出了使用由将高取向的聚合物与低电阻的聚合物混合而成的液晶取向剂得到的液晶取向膜的方法(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开公报WO2004/53583号小册子

发明内容

发明所要解决的问题

液晶取向膜所要求的特性随着液晶显示元件的高性能化而变得严格。特别是,即使与同为横电场方式的IPS方式相比,FFS方式也成为电荷容易在液晶单元内蓄积且蓄积的电荷不易脱离的结构,因此,例如不仅抑制电荷蓄积,蓄积的电荷的缓和快等特性也变得重要。此外,FFS方式的电场强度比IPS方式大,因此与液晶的取向限制力相关的要求也严格。

基于以上情况,本发明的问题在于,提供一种液晶取向剂,其能得到适合用于横电场方式、特别是用于FFS方式的液晶显示元件的液晶取向膜,进而能得到即使为FFS方式,电荷的蓄积量也小且蓄积电荷的缓和也快的液晶取向膜。

用于解决问题的方案

本发明人等为了实现上述的目的,进行了深入研究,结果发现通过下述主旨的发明能实现上述的目的。

一种液晶取向剂,其含有下述的聚合物(A)和聚合物(B)。

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