[发明专利]隔膜清洁设备在审
申请号: | 201980079386.0 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN113168088A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | A·尼基帕罗夫;D·库日洛维奇;F·斯布莱萨伊;M·A·范德柯克霍夫;T·W·范德伍德;威廉·琼·范德赞德;J·范杜凡波第;D·F·弗莱斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔膜 清洁 设备 | ||
1.一种用于从隔膜移除粒子的隔膜清洁设备,所述设备包括:
隔膜支撑件,用于支撑隔膜;和
电场生成机构,用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜附近生成电场。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电场生成机构包括:
一个或更多个集电极;和
用于跨越由所述隔膜支撑件支撑的隔膜和所述一个或更多个集电极中的一个或每个集电极施加电压的机构。
3.根据权利要求1或2所述的设备,包括用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜中引起机械振荡的机构。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜中引起机械振荡的机构包括:
激励电极;和
用于跨越所述激励电极和由所述隔膜支撑件支撑的所述隔膜施加时变电压的机构。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述时变电压包括多个在时间上间隔开的脉冲。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的设备,其中,所述时变电压包括具有一般形状并且具有可供选择(和改变)以获得所需激发光谱的一个或更多个参数的电压波形。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的设备,其中,所述时变电压包括连续的在时间上间隔开的两个脉冲列,所述两个脉冲列的极性是相反的。
8.根据权利要求3所述的设备,其中,用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜中引起机械振荡的机构包括:
辐射源,所述辐射源能够操作以产生入射在由所述隔膜支撑件支撑的所述隔膜的至少一部分上的脉冲辐射束。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的设备,其中,用于引起机械振荡的机构能够操作以仅在所述隔膜的局部部分中引起振荡。
10.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述电场生成机构能够操作以当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜的两个对置表面附近生成电场,在所述隔膜的两个对置表面附近所述电场处于相反方向。
11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述电场由设置在隔膜的平面的相反侧上的两个集电极形成。
12.根据权利要求10或权利要求11所述的设备,其中,所述电场的量值在隔膜的两侧上是基本上相等的。
13.根据从属于权利要求2时的权利要求10至12中任一项所述的设备,其中,一个或更多个集电极的至少一部分设置有绝缘涂层。
14.根据权利要求1、2或10至13中任一项所述的设备,还包括等离子体生成机构。
15.根据直接或间接地从属于权利要求2时的权利要求14所述的设备,其中,所述等离子体生成机构能够操作以在由所述隔膜支撑件支撑的隔膜与所述一个或更多个集电极中的所述一个或每个集电极之间生成等离子体。
16.根据权利要求15所述的设备,其中,用于跨越由所述隔膜支撑件支撑的所述隔膜和一个或更多个集电极中的所述一个或每个集电极施加电压的机构被布置成跨越由所述隔膜支撑件支撑的所述隔膜和一个或更多个集电极中的所述一个或每个集电极施加脉冲电压。
17.根据权利要求15或16中任一项所述的设备,其中,脉冲电压的每个脉冲包括具有第一极性的第一部分和具有相反的第二极性的第二部分。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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