[发明专利]二次电池及其制造方法

权利要求书

1.一种二次电池，其包括：

第一电极；

第二电极；

第一层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含第一n型氧化物半导体材料；

第二层，其设置在所述第一层上，并且包含第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料；

第三层，其设置在所述第二层上，并且包含氧化钽；以及

第四层，其设置在所述第三层上，并且包含第二绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，

所述第三层是包含氧化钽的非晶层或包含多个氧化钽纳米颗粒的纳米颗粒层。

3.根据权利要求1或2所述的二次电池，其中，

所述第三层的厚度是50nm或以上且800nm或以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二次电池，其中，

在所述第四层与所述第二电极之间形成包含氧化镍或氢氧化镍的层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的二次电池，其中，

所述第四层主要由作为所述第二绝缘材料的SiOx组成，并且

金属氧化物被添加到所述第四层。

6.根据权利要求5所述的二次电池，其中，

所述金属氧化物是SnOx。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的二次电池，其中，

所述第一绝缘材料是SiOx，

所述第二n型氧化物半导体材料是TiO₂。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的二次电池，其中，

所述第一n型氧化物半导体材料是TiO₂。

9.一种二次电池的制造方法，其包括：

在第一电极上形成包含第一n型氧化物半导体材料的第一层的工序；

在所述第一层上形成包含第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层的工序；

在所述第二层上形成包含氧化钽的第三层的工序；

在所述第三层上形成包含第二绝缘材料的第四层的工序；以及

在所述第四层上形成第二电极的工序。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

在形成所述第三层的工序中，通过溅射沉积、气相沉积或离子镀形成包含氧化钽的非晶层或包含多个氧化钽纳米颗粒的纳米颗粒层。