[发明专利]阀装置和气体供给系统在审

专利信息
申请号: 201980070726.3 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN112930454A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 相川献治;松田隆博;原田章弘;渡边一诚;中田知宏;篠原努 申请(专利权)人: 株式会社富士金
主分类号: F16K27/00 分类号: F16K27/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 气体 供给 系统
【说明书】:

提供一种用于半导体制造工艺等的阀装置,该阀装置具有更适合于小型化、集成化的构造。该阀装置具有:阀体(3),其收纳于收纳凹部(35),并且在底面具有第1端口(3p1)和第2端口(3p2);以及阀盖螺母(20),其在外周形成螺纹部(20a)并且螺纹部(20a)与收纳凹部(35)的内周螺纹结合,由此,将阀体(3)朝向收纳凹部(35)的底部按压,并且将该阀体(3)固定于流路块(30),阀体(3)具有在第1端口(3p1)和第2端口(3p2)的周围自底面(3d)突出地形成的密封用的第1环状突起(4a)和第2环状突起(4b),所述第1环状突起(4a)和所述第2环状突起(4b)形成为共用局部。

技术领域

本发明涉及能够拆卸地安装于形成有流路的流路块的阀装置和使用了该阀装置的气体供给系统。

背景技术

在半导体制造工序中,对于半导体制造装置的腔室使用了控制各种工艺气体的供给的阀。在原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposition法)等工艺中,对于小型化并且使膜沉积于基板的处理工艺所使用的工艺气体的流量控制,要求高响应性、高精密性。为了实现该要求,需要尽可能地省略配管,使配管内的残留气体减少,使阀小型化,并且在尽可能接近工艺气体的供给目的地的场所使许多阀集成化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平10-47514号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1公开了一种集成化阀,其被模块化,并且不借助接头构件而是与作为气体供给目的地的流路块直接螺纹结合。

本发明的目的之一在于提供一种进一步小型化且适合于集成化的构造的阀装置。

用于解决问题的方案

本发明的阀装置能够拆卸地安装于形成有流路的流路块,其中,

所述阀装置具有:

阀体,其收纳于在所述流路块形成的收纳凹部,并且在底面具有第1端口和第2端口;以及

阀盖螺母,其在外周形成螺纹部,并且该螺纹部与所述收纳凹部的内周螺纹结合,由此,将所述阀体朝向所述收纳凹部的底部按压,并且将该阀体固定于所述流路块,

所述阀体具有在所述第1端口和所述第2端口的周围自所述底面突出地形成的密封用的第1环状突起和第2环状突起,

所述第1环状突起和所述第2环状突起形成为共用局部。

优选的是,能够采用这样的结构:所述第1环状突起和所述第2环状突起作为整体具有数字8状的轮廓形状。

更加优选的是,能够采用这样的结构:所述第1环状突起和所述第2环状突起形成为关于包含所述阀体的中心轴线的假想平面左右对称。

能够采用这样的结构:本发明的阀装置在所述阀体与所述阀盖螺母之间还具有轴承,该轴承设为允许所述阀盖螺母相对于所述阀体的旋转。

优选的是,能够采用这样的结构:所述流路块在所述收纳凹部的底面具有第3端口和第4端口,该第3端口和第4端口借助金属垫片分别与所述阀体的第1端口和第2端口连接,

所述流路块具有在所述第3端口和第3端口的周围自所述收纳凹部的底面突出地形成的密封用的第3环状突起和第4环状突起,

所述第3环状突起和所述第4环状突起形成为共用局部。

本发明的气体供给系统排列有多个流体设备,其中,

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