[发明专利]包括光透射区域的光电装置在审
申请号: | 201980070487.1 | 申请日: | 2019-11-23 |
公开(公告)号: | CN112889162A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | Z·王;Y-L·常;Q·王;M·海兰德 | 申请(专利权)人: | OTI照明公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L33/42 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 透射 区域 光电 装置 | ||
一种电致发光装置,其包括:(1)第一区域、第二区域以及布置在所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域;(2)安置在所述第二区域中的导电涂层;以及(3)安置在所述第一区域中的成核抑制性涂层,所述成核抑制性涂层延伸以覆盖所述中间区域的至少一部分,其中所述中间区域中的所述成核抑制性涂层的厚度小于所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的厚度,并且其中所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的表面基本上不含所述导电涂层。
本申请要求于2018年11月23日提交的美国临时申请第62/771,015号、于2019年4月25日提交的美国临时申请第62/838,892号和于2019年6月17日提交的美国临时申请第62/862,636号的权益和优先权,其内容在此全文引入作为参考。
技术领域
以下总体上涉及包括光透射区域的光电装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通常包含插入导电薄膜电极之间的几层有机材料,有机层中的至少一层是电致发光层。当向电极施加电压时,空穴和电子分别从阳极和阴极被注入。电极注入的空穴和电子迁移穿过有机层到达电致发光层。当空穴和电子非常接近时,由于库仑力,它们相互吸引。空穴和电子然后可以结合形成被称为激子的结合态。激子可以通过辐射复合过程衰减,在该过程中释放光子。可替代地,激子可以通过非辐射复合过程衰减,在该过程中不释放光子。注意,如本文所使用的,内部量子效率(IQE)将被理解为在装置中产生的所有电子-空穴对通过辐射复合过程衰减的比例。
根据电子-空穴对(即,激子)的自旋状态,辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生。具体地,由电子-空穴对形成的激子可以表征为具有单重态或三重态自旋态。通常,单重态激子的辐射衰减导致荧光,而三重态激子的辐射衰减导致磷光。
最近,已经提出并研究了用于OLED的其它发光机制,包含热激活延迟荧光(TADF)。简而言之,TADF发射是通过三重态激子借助热能通过逆系统间交叉过程转换为单重态激子,然后单重态激子辐射衰减而发生的。
OLED装置的外部量子效率(EQE)可以指提供给OLED装置的电荷载流子相对于该装置发射的光子数量的比率。例如,EQE为100%表示对注入装置的每个电子发射一个光子。如将了解的,装置的EQE通常大大低于装置的IQE。EQE和IQE之间的差异通常可以归因于许多因素,如由装置的各个组件引起的光的吸收和反射。
OLED装置通常可以分类为“底部发射”或“顶部发射”装置,这取决于从装置发射光的相对方向。在底部发射装置中,由于辐射复合过程而产生的光在朝向装置的基座基板的方向上发射,而在顶部发射装置中,光在远离基座基板的方向上发射。因此,在底部发射装置中,靠近基座基板的电极一般被制成透光的(例如,基本上透明或半透明的),而在顶部发射装置中,远离基座基板的电极一般被制成透光的,以减少光的衰减。根据具体的装置结构,阳极或阴极可以充当顶部发射装置和底部发射装置中的透射电极。
OLED装置也可以是双面发光装置,其被配置为在相对于基础衬底的两个方向上发光。例如,双面发射装置可以包含透射阳极和透射阴极,使得来自每个像素的光在两个方向上发射。在另一个实例中,双面发射显示装置可以包含被配置成在一个方向上发射光的第一组像素,以及被配置成在另一个方向上发射光的第二组像素,使得来自每个像素的单个电极是透射的。
除了上述装置配置之外,还可以实现透明或半透明的OLED装置,其中该装置包含透明部分,该透明部分允许外部光透射通过该装置。例如,在透明的OLED显示装置中,可以在每个相邻像素之间的非发射区域中设置透明部分。在另一个实例中,可以通过在面板的发射区域之间安置多个透明区域来形成透明的OLED照明面板。透明或半透明的OLED装置可以是底部发射装置、顶部发射装置或双面发射装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择