[发明专利]包括光透射区域的光电装置在审
申请号: | 201980070487.1 | 申请日: | 2019-11-23 |
公开(公告)号: | CN112889162A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | Z·王;Y-L·常;Q·王;M·海兰德 | 申请(专利权)人: | OTI照明公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L33/42 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 透射 区域 光电 装置 | ||
1.一种电致发光装置,其包含:
第一区域、第二区域以及布置在所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域;
安置在所述第二区域中的导电涂层;以及
安置在所述第一区域中的成核抑制性涂层,所述成核抑制性涂层延伸以覆盖所述中间区域的至少一部分,
其中所述中间区域中的所述成核抑制性涂层的厚度小于所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的厚度,并且
其中所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的表面基本上不含所述导电涂层。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置,其中所述导电涂层延伸以覆盖所述中间区域的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的电致发光装置,其中所述导电涂层在所述中间区域中具有第一厚度,并且在所述第二区域中具有第二厚度,所述第二厚度大于所述第一厚度。
4.根据权利要求3所述的电致发光装置,其中所述第一厚度小于或等于所述第二厚度的约10%。
5.根据权利要求3或4所述的电致发光装置,其中所述第二厚度为约5nm至约40nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述成核抑制性涂层的所述厚度小于所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的所述厚度的约20%。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电致发光装置,其中所述第二区域基本上不含所述成核抑制性涂层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电致发光装置,其中所述第一区域包括光透射区域。
9.根据权利要求8所述的电致发光装置,其中所述光透射区域中的透光率大于约50%。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电致发光装置,其中所述第二区域包括发射区域。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的电致发光装置,其中所述中间区域被布置成从所述第二区域的周边朝向所述第一区域横向延伸。
12.根据权利要求11所述的电致发光装置,其中所述中间区域从所述周边横向延伸约100nm至约4μm。
13.根据权利要求11所述的电致发光装置,其中所述中间区域从所述周边横向延伸约300nm至约3μm。
14.根据权利要求11所述的电致发光装置,其中所述中间区域从所述周边横向延伸的距离为所述第二区域中的所述导电涂层的所述厚度的约10倍到约250倍。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述导电涂层的表面覆盖率小于所述第二区域中的所述导电涂层的表面覆盖率。
16.根据权利要求15所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述导电涂层的所述表面覆盖率为约5%至约95%。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述导电涂层包括断开的簇。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述导电涂层的平均晶粒尺寸小于所述第二区域中的所述导电涂层的平均晶粒尺寸。
19.根据权利要求18所述的电致发光装置,其中所述中间区域中的所述导电涂层的所述平均晶粒尺寸为约10nm至约50nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择