[发明专利]检查设备在审
申请号: | 201980069782.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112912796A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | P·萨菲诺斯基;德克·S·G·布龙 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 设备 | ||
一种用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备,所述检查设备包括:‑真空腔室;‑装载锁,所述装载锁形成介于所述真空腔室与周围环境之间的接口;‑平台设备,所述平台设备被配置成从所述装载锁接收所述物体且使所述物体在所述真空腔室内移位;其中所述真空腔室包括用于临时储存所述物体的第一停放位置和第二停放位置。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年10月23日递交的欧洲申请18202014.9和2019年1月11日递交的欧洲申请19151427.2的优先权,这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种如可以用于对物体进行检查的检查工具或设备,特别地,所述物体是用于使用EUV光刻设备来进行集成电路的制造中的物体。特别地,所述检查工具或设备可以用于对在EUV光刻设备中所使用以保护经图案化的掩模版免受污染的表膜进行检查。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将在图案形成装置(例如,掩模)处的图案投影至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了将图案投影至衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有在4至20nm的范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用以在衬底上形成较小特征。
在EUV光刻设备的情况下,如所提及的图案形成装置通常由表膜保护。在应用所述表膜之前,所述表膜需要经历检核或检查过程,以便评估其是否符合规格。
在已知布置中,这种检核过程可能是相当耗时的且可能不具有所需的准确度。
发明内容
本发明的目的是提供用于检查诸如表膜之类的物体的检查设备,由此降低处理时间和/或改善准确度。根据本发明的第一方面,提供用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备,所述检查设备包括:
-真空腔室;
-装载锁,所述装载锁形成介于所述真空腔室与周围环境之间的接口;
-平台设备,所述平台设备被配置成从所述装载锁接收所述物体且使所述物体在所述真空腔室内移位;
其中所述真空腔室包括用于临时储存所述物体的第一停放位置和第二停放位置。
根据本发明的所述第一方面,还提供一种用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备,所述检查设备包括:
-真空腔室;
-第一装载锁,所述第一装载锁形成介于所述真空腔室与周围环境之间的接口;
-第二装载锁,所述第二装载锁形成介于所述真空腔室与周围环境之间的接口;
-平台设备,所述平台设备被配置成从所述第一装载锁接收所述物体且使所述物体在所述真空腔室内移位,并且被配置成将所述物体提供至所述第二装载锁。
根据本发明的第二方面,提供一种用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备,所述检查设备包括:
-腔室,所示腔室被配置成在经调节的气氛中进行配置以用于检查所述物体;
-装载锁,所述装载锁形成介于所述腔室与周围环境之间的接口;
-辐射束源,所述辐射束源被配置成产生用于检查所述物体的辐射束;
-辐射束测量系统,所述辐射束测量系统被配置成测量所述辐射束的特性,其中所述辐射束测量系统包括:
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