[发明专利]固体摄像装置

说明书

固体摄像装置(1)具备像素阵列部(10)及电流源阵列部(20)。像素阵列部包含沿第1方向排列的N个像素部(P(1)～P(N))。各像素部包含光电二极管(PD)及放大用MOS晶体管(M11)。电流源阵列部包含N个电流源(I(1)～I(N))。各电流源包含第一MOS晶体管(M21)、第二MOS晶体管(M22)、第三MOS晶体管(M23)、第四MOS晶体管(24)及设定电路(SET)。设定电路(SET)基于信号线(L(n))的电压而设定第三MOS晶体管(M23)的接通/断开，由此抑制自Vr供给线经由共同节点(Nc)及第一MOS晶体管(M21)流向接地电位供给端的电流量的变动。由此，实现了可更可靠地抑制黑电平变动的固体摄像装置。

技术领域

本发明涉及一种固体摄像装置。

背景技术

APS(Active Pixel Sensor(主动像素传感器))方式的固体摄像装置具备：像素阵列部，其1维或2维地排列有分别包含光电二极管及放大用MOS晶体管等的像素部；信号读取部，其将自各像素部向信号线输出的信号依次向外部读取；及电流源，其连接于信号线。经由信号线相互连接的各像素部的放大用MOS晶体管及电流源构成源极跟随器电路。

这样的APS方式的固体摄像装置中，若预先对多个像素部中的某像素部进行遮光以不使光入射至该像素部的光电二极管，则在理想上，不依赖于入射至其他像素部的光电二极管的光的强度，自遮光的像素部输出的信号的大小应为一定。然而，实际上，若入射至其他的像素部的光电二极管的光的强度大，则有自遮光的像素部输出的信号的大小变化的情况。这样的现象被称为黑电平变动。在专利文献1中公开有一种意欲消除该黑电平变动的问题的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-183462号公报

发明内容

发明所要解决的问题

专利文献1所公开的结构中，无法充分地抑制黑电平变动。

本发明的目的在于提供一种可更可靠地抑制黑电平变动的固体摄像装置。

解决问题的技术手段

本发明的实施方式为固体摄像装置。固体摄像装置具备：(1)像素阵列部，其至少沿第一方向排列有分别包含光电二极管及放大用MOS晶体管的多个像素部，且将多个像素部的各个中对应于光电二极管中产生的电荷量的信号向多条信号线中与该像素部对应设置的信号线输出；(2)电流源阵列部，其包含多个电流源，这些多个电流源分别经由信号线连接于多个像素部中对应的像素部；及(3)信号读取部，其输入经由多条信号线的各个输入的信号，且依次读取多个像素部的各个中对应于光电二极管中产生的电荷量的信号。

上述固体摄像装置中，像素部在沿第一方向延伸的第一基准电位供给线与信号线之间设置有放大用MOS晶体管，对放大用MOS晶体管的栅极赋予对应于光电二极管中产生的电荷量的电压，将对应于该栅极电压的信号自放大用MOS晶体管向信号线输出。

上述固体摄像装置中，多个电流源中的任意1个以上的特定电流源包含：(a)第一MOS晶体管，其设置于第二基准电位供给端与共同节点之间且对栅极赋予第一偏压；(b)第二MOS晶体管，其设置于共同节点与信号线之间且对栅极被赋予第二偏压；(c)第三MOS晶体管，其设置于第一基准电位供给线与共同栅极之间；(d)设定电路，其对第三MOS晶体管的栅极赋予对应于信号线的电压的栅极电压而设定第三MOS晶体管的接通/断开，并抑制自第一基准电位供给线经由第一MOS晶体管及共同节点流向第二基准电位供给端的电流量的变动。

发明的效果

根据本发明的实施方式，可在固体摄像装置中更可靠地抑制黑电平变动。

附图说明

图1是显示固体摄像装置1的结构的图。