[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 201980061170.1 | 申请日: | 2019-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN112740656B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
| 发明(设计)人: | 吉村英敏;杉山行信 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H04N25/75 | 分类号: | H04N25/75;H04N25/60;H04N25/767;H04N25/677 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,
具备:
像素阵列部,其至少沿第一方向排列有分别包含光电二极管及放大用MOS晶体管的多个像素部,且将所述多个像素部的各个中对应于所述光电二极管中产生的电荷量的信号向多条信号线中与该像素部对应设置的信号线输出;
电流源阵列部,其包含多个电流源,这些多个电流源分别经由所述信号线而连接于所述多个像素部中的对应的像素部;及
信号读取部,其输入经由所述多条信号线的各个输入的信号,且依次读取所述多个像素部的各个中对应于所述光电二极管中产生的电荷量的信号,
所述像素部在沿所述第一方向延伸的第一基准电位供给线与所述信号线之间设置有所述放大用MOS晶体管,对所述放大用MOS晶体管的栅极赋予对应于所述光电二极管中产生的电荷量的电压,将对应于该栅极电压的信号自所述放大用MOS晶体管向所述信号线输出,
所述多个电流源中的任意1个以上的特定电流源包含:
第一MOS晶体管,其设置于第二基准电位供给端与共同节点之间且对栅极赋予第一偏压;
第二MOS晶体管,其设置于所述共同节点与所述信号线之间且对栅极赋予第二偏压;
第三MOS晶体管,其设置于所述第一基准电位供给线与所述共同节点之间;及
设定电路,其对所述第三MOS晶体管的栅极赋予对应于所述信号线的电压的栅极电压而设定所述第三MOS晶体管的接通/断开,抑制自所述第一基准电位供给线经由所述第一MOS晶体管及所述共同节点流向所述第二基准电位供给端的电流量的变动。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述特定电流源还包含设置于所述第一基准电位供给线与所述第三MOS晶体管之间或所述第三MOS晶体管与所述共同节点之间的第四MOS晶体管,对所述第四MOS晶体管的栅极赋予第三偏压。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,
还具备:电流限制单元,其在所述像素部未进行信号输出的期间,限制与该像素部对应的特定电流源中流通的电流。
4.如权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述设定电路包含相互串联连接的第五MOS晶体管及负载,对所述第五MOS晶体管的栅极赋予所述信号线的电压,对所述第三MOS晶体管的栅极赋予所述第五MOS晶体管与所述负载的连接点的电压。
5.如权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述设定电路包含比较所述信号线的电压与阈值的比较器,对所述第三MOS晶体管的栅极赋予基于其比较结果自所述比较器输出的电压。
6.如权利要求1~5中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述像素阵列部沿正交于所述第一方向的第二方向也排列有所述多个像素部,所述多个像素部中在所述第一方向上位于相同位置的各像素部将所述信号向共同的信号线输出。
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