[发明专利]工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法

说明书

本发明揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路元件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个屏蔽层，所述一或多个屏蔽层经形成在所述底部衬底与所述顶部衬底之间。在实施例中，所述一或多个屏蔽层经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

相关申请案的交叉引用

本申请案依据35U.S.C.§119(e)要求2018年9月6日申请的、指定费尔哈特A.考利(Farhat A.Quli)、安德鲁·阮(Andrew Nguyen)及詹姆斯·理查德·贝拉(James RichardBella)为发明人的标题为“工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法(PROCESS TEMPERATURE MEASUREMENT DEVICE FABRICATION TECHNIQUES AND METHODS OFCALIBRATION AND DATA INTERPOLATION OF THE SAME)”的第62/727,633号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及沿半导体工艺线监测晶片，且特定来说，涉及一种用于工艺条件测量晶片组合件的系统及方法。

背景技术

随着半导体装置处理环境中的工艺条件的公差不断缩小，对改进工艺监测系统的需求也不断增加。处理系统内的热均匀性是一种此条件。当前方法无法监测当前处理技术所要的极端条件下的温度(例如，高温)而不污染相关联室。一种监测工艺条件的先前方法涉及使用工艺条件测量晶片。常规工艺条件测量晶片可包含测量及记录工艺条件(例如温度)的无线数据采集系统。然而，常规工艺条件测量晶片通常经受可归于内部构造变动的温度不准确性，且可能无法承受当前及未来处理系统(例如，外延室、等离子体蚀刻室)的能量通量。因此，将期望提供一种允许使用仪器化晶片进行高温测量以监测半导体装置处理线的条件的系统及方法。

发明内容

揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路组件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个屏蔽层，所述一或多个屏蔽层经形成在所述底部衬底与所述顶部衬底之间。在实施例中，所述一或多个屏蔽层经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路组件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述底部衬底或所述顶部衬底中的至少一者经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

揭示一种方法。在实施例中，所述方法可包含：在等温条件下，从跨工艺条件测量晶片分布的一组温度传感器获取一组温度测量值且从跨工艺条件测量晶片分布的一组热通量传感器获取一组热通量测量值；校正在等温条件下获取的所述一组温度测量值及所述一组热通量测量值；将已知热通量应用于所述工艺条件测量晶片；在应用所述已知热通量期间，从所述一组温度传感器获取一组额外温度测量值且从所述一组热通量传感器获取一组额外热通量测量值；在应用所述已知热通量期间识别跨所述一组温度传感器观察到的温度变动；通过将所述已知热通量与所述一组温度传感器的所述经识别温度变动相关来识别热通量-温度变动关系；在未知热通量条件下，从所述一组温度传感器获取一组测试温度测量值且从所述热通量传感器获取一组测试热通量测量值；及基于所述一组测试热通量测量值及所述经识别的热通量-温度变动关系调整所述一组测试温度测量值。