[发明专利]具有降低的侵入离子表面浓度的化学强化玻璃基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201980056765.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113329983A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | B·纳维特;J·爱沫丽 | 申请（专利权）人： | 旭硝子欧洲玻璃公司;旭硝子玻璃北美公司;旭硝子眼镜巴西有限公司;AGC株式会社 |
| 主分类号： | C03C21/00 | 分类号： | C03C21/00;C03C23/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 比利时卢万*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 降低 侵入 离子 表面 浓度 化学 强化 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.注入的离子用于降低化学强化玻璃的表面层中的侵入离子浓度的用途，其中，
a.所述离子选自N、H、O、He、Ne、Ar和Kr的离子中的一种或多种，并且
b.所述离子以包括在1014离子/cm2与1018离子/cm2之间的剂量以及包括在5kV与100kV之间的加速电压被注入所述基板中。
2.根据权利要求1所述的注入的离子用于降低化学强化玻璃的表面层中的侵入离子浓度的用途，其中，
a.侵入离子是K+，并且
b.所述表面层始于基板表面，并向下达到深度d，其中100nmd900nm。
3.根据任一前述权利要求所述的注入的离子用于降低化学强化玻璃的表面层中的侵入离子浓度的用途，其中，所述表面层中的侵入离子浓度α不超过在所述基板中在1μm的深度处的侵入离子浓度β的90％，其中100nmd900nm，其中所述侵入离子浓度表示为SIMS分布中的侵入离子与硅信号强度比。
4.根据任一前述权利要求所述的注入的离子用于降低化学强化玻璃的表面层中的侵入离子浓度的用途，其中，所述化学强化玻璃是钠钙玻璃或铝硅酸盐玻璃。
5.一种化学强化玻璃基板，其包括始于基板表面并且向下达到深度d的表面层，其中所述表面中的侵入离子浓度不超过在1μm的深度处的侵入离子浓度的90％，其中100nmd900nm，其中所述侵入离子浓度表示为SIMS分布中的侵入离子与硅信号强度比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子欧洲玻璃公司;旭硝子玻璃北美公司;旭硝子眼镜巴西有限公司;AGC株式会社，未经旭硝子欧洲玻璃公司;旭硝子玻璃北美公司;旭硝子眼镜巴西有限公司;AGC株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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