[发明专利]纳米线发光开关装置及其方法

权利要求书

1.一种纳米线系统，所述纳米线系统包括：

衬底；

至少一个纳米线结构，所述至少一个纳米线结构沿着轴从所述衬底的表面向外延伸，所述纳米线结构包括：

发光二极管；

装置驱动器，所述装置驱动器被电耦合以控制所述发光二极管的操作状态，其中所述发光二极管与所述装置驱动器被集成以彼此共用至少一个掺杂区。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述共用的至少一个掺杂区包括GaN层，所述GaN层包括所述发光二极管的阴极区和所述装置驱动器的漏极区。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述发光二极管还包括阳极区，所述阳极区电耦合至包括所述阴极区的所述GaN层，并且所述装置驱动器包括沟道区，所述沟道区电耦合在源极区与包括所述漏极区的所述GaN层之间。

4.如权利要求3所述的系统，其中所述源极区和所述沟道区各自包括另一个GaN层。

5.如权利要求2所述的系统，其中所述发光二极管的所述阴极区与所述装置驱动器的所述漏极区共用共同的外部连接。

6.如权利要求3所述的系统，所述系统还包括栅极金属层，所述栅极金属层电耦合至所述装置驱动器的所述沟道区的周边的至少一部分。

7.如权利要求1所述的系统，其中所述至少一个纳米线结构包括两个或更多个纳米线结构，并且所述装置驱动器中的每一者的源极区是共用的源极区。

8.如权利要求7所述的系统，所述系统还包括栅极金属层，所述栅极金属层与两个或更多个纳米线结构的沟道区电耦合。

9.如权利要求8所述的系统，所述系统还包括透明导电膜层，所述透明导电膜层将多个相邻的纳米线结构电耦合在一起。

10.如权利要求9所述的系统，其中所述多个相邻的纳米线结构是通过所述透明导电膜层和所述栅极金属层电耦合。

11.如权利要求1所述的系统，其中所述至少一个纳米线结构的最大截面尺寸小于约10微米。

12.如权利要求1所述的系统，其中所述至少一个纳米线结构的最大截面尺寸小于约3微米。

13.如权利要求1所述的系统，所述系统还包括与源极区相邻并电连接至所述源极区的基于Ni的金属漏极接触层和基于Ti的金属层。

14.如权利要求1所述的系统，其中所述发光二极管还包括在所述LED的发光部分上的改变光谱发射的一个或多个材料层。

15.如权利要求14所述的系统，其中所述一个或多个层包括颜色转换器。

16.一种制造纳米线系统的方法，所述方法包括：

提供衬底；

形成至少一个纳米线结构，所述至少一个纳米线结构沿着轴从所述衬底的表面向外延伸，所述纳米线结构包括：

发光二极管；

装置驱动器，所述装置驱动器被电耦合以控制所述发光二极管的操作状态，其中所述发光二极管与所述装置驱动器被集成以彼此共用至少一个掺杂区。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述共用的至少一个掺杂区包括GaN层，所述GaN层包括所述发光二极管的阴极区和所述装置驱动器的漏极区。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述发光二极管还包括阳极区，所述阳极区电耦合至包括所述阴极区的所述GaN层，并且所述装置驱动器包括沟道区，所述沟道区电耦合在源极区与包括所述漏极区的所述GaN层之间。