[发明专利]清洗浴槽

说明书

本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。

技术领域

本说明书中公开的技术涉及对半导体基板进行超声波处理的清洗浴槽。

背景技术

以往，公知有为了使半导体基板浸渍于清洗浴槽的处理液来进行超声波处理，而将半导体基板保持于盒。例如在专利文献1中，将基板(在专利文献1中为液晶显示元件的透明基板)保持于盒，在使保持于该盒的基板与盒一起浸渍于清洗浴槽的处理液的状态下，对基板进行超声波处理。

专利文献1：日本特开平6-138437号公报

然而，在利用剥离法进行在硅晶片上成膜的薄膜的图案化的情况下，该图案化的工序包括薄膜的剥离工序。在该剥离工序导入了超声波处理的情况下，工序的成品率得到显著改善。

但是，在进行超声波处理时，浸渍于清洗浴槽的处理液的盒通常仅放置在清洗浴槽的底壁部上。因此，在清洗浴槽内盒因由超声波引起的振动而移动，存在无法良好地进行超声波处理的可能性。

另外，即使制止了盒的移动，根据清洗浴槽以及盒的形状，有时在清洗浴槽内的处理液中产生驻波。在该情况下，由驻波引起声压的不均匀，由此产生清洗不均，并且特别是厚度较薄的半导体基板(例如太阳能电池用的半导体基板)被驻波的波腹的部分(声压高的部分)按压而容易受到损伤。

发明内容

在此公开的技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种与盒的形状无关，能够良好地进行半导体基板的超声波处理的清洗浴槽。

为了实现上述目的，提供以下的清洗浴槽。

该清洗浴槽在使保持于盒的半导体基板与上述盒一起浸渍于存积的处理液的状态下，对上述半导体基板进行超声波处理，上述清洗浴槽具备：底壁部；筒状侧壁部，从上述底壁部立起并在内部存积上述处理液；以及制止部，制止浸渍于上述处理液的上述盒向上述底壁部的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动，在上述筒状侧壁部的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。

根据上述清洗浴槽，与盒的形状及设置位置无关，能够良好地进行半导体基板的超声波处理，并且即使对厚度较薄的半导体基板(例如太阳能电池用的半导体基板)进行超声波处理，也不会对半导体基板造成损伤。

附图说明

图1是将例示的实施方式所涉及的清洗浴槽与盒一起示出的俯视图。

图2是将清洗浴槽沿与其筒轴方向正交的面(水平面)切断的剖视图。

图3是沿图1的III-III线切断的剖视图。

图4是表示保持有半导体基板的盒的立体图。

图5是局部地示出太阳能电池的示意剖视图。

图6是表示构成太阳能电池的结晶基板的里侧主面的仰视图。

图7是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的图5相当图。

图8是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的图5相当图。

图9是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的图5相当图。

图10是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的图5相当图。

图11是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的图5相当图。