[发明专利]多节点多用途O形环及制作密封的方法

说明书

提供了一种密封构件，该密封构件包括多个节点及多个腹点。每个密封构件可以被旋转以暴露未损伤的叶状物以供进行密封，且防止密封构件掉出叶状沟槽。提供了一种腔室，该腔室包括沟槽，密封构件被安置在该沟槽中。提供了一种旋转及安置密封构件的方法，该方法包括以下步骤：旋转以暴露密封构件的未损伤部分。

技术领域

本发明的实施方式涉及装置及方法，且更具体而言是涉及多节点多用途O形环及用于制作密封的方法。

背景技术

集成电路已经发展成在单个芯片上包括数百万个晶体管、电容器及电阻器的复杂器件。芯片设计的发展不断需要更快速的电路系统及更大的电路密度。随着集成电路的需求持续增长，芯片制造需求具有增加的晶片吞吐量及更大的产量的半导体处理系统。为了满足此吞吐量增加，正在研发系统以处理更大直径的晶片，例如具有300mm及更大的直径的晶片。

一般能够处理晶片的处理腔室一般包括半导体晶片支撑组件，该半导体晶片支撑组件包括圆盘(例如静电吸盘(ESC))、具有冷却板及加热电极的温度控制基部、及支撑底座。也在半导体晶片支撑组件中设置了其他的各种部件(例如气体管线、电线、背侧导气管等等)。在此类半导体晶片支撑组件的制造期间，需要将许多O形环安置在处理腔室及支撑组件中的部件之间，以在内部腔室环境与外部环境之间保持真空紧密密封。O形环也防止在处理期间存在于腔室中的有害等离子体或化学环境穿透及腐蚀晶片支撑组件。

传统O形环的一个缺点是，它们在腔室中的重复处理循环之后经受劣化及脱气。恒定的热循环和/或腔室压力循环侵蚀O形环的弹性性质。在长期使用之后，颗粒最终开始从O形环剥落。此类剥落产生不合需要的污染物，因为所述污染物可能在处理期间漂移到晶片上。这些污染物可能随后在形成于所处理的晶片中的器件中产生短路或空隙，由此劣化晶片的品质。虽然替换O形环是这些半导体处理腔室的功能的一个必要的部分，但O形环所暴露的恶劣的等离子体及化学环境使得必须替换所述O形环，这对消费者造成了巨大的成本。

因此，需要耐用且可重复使用的O形环。

发明内容

在一个实施方式中，提供了一种用于在至少两个可分离部件之间形成密封的密封设备，该密封设备包括闭环(closed loop)主体、多个密封节点、及多个密封腹点(antinode)。每个密封腹点被定位为在该闭环主体的横截面中在直径上与密封节点相对。

在另一个实施方式中，提供了一种处理腔室，该处理腔室包括具有密封面的第一可分离处理腔室部件、具有部件表面的第二可分离处理腔室部件，其中该第二可分离处理腔室部件包括形成于该部件表面中的通道。该密封设备包括主体、多个密封节点、及多个密封腹点。所述密封节点中的每一者的一部分具有表面，该表面被配置为与该两个可分离处理腔室部件中的每一者的至少一个表面形成密封。

在另一个实施方式中，提供了一种在第一可分离部件与第二可分离部件之间形成密封的方法，该方法包括以下步骤：将密封设备压缩在该第一可分离部件与该第二可分离部件之间；分离该第一可分离部件及该第二可分离部件；及相对于该第一可分离部件重新定向该密封设备，然后压缩该密封设备。该密封设备包括主体、多个密封节点、及多个密封腹点。所述密封节点及所述密封腹点中的至少一者的一部分具有表面，该表面被配置为在该密封设备被压缩时与该两个可分离部件中的每一者的至少一个表面形成密封。压缩该密封设备的步骤使得第一节点在第一密封节点与该第一可分离部件的表面之间形成第一密封且在第一密封腹点与该第二可分离部件的表面之间形成第二密封。在重新定向该密封设备之后压缩该密封设备的步骤使得第二密封节点在该第二密封节点与该第一可分离部件的该表面之间形成第三密封且在第二密封腹点与该第二可分离部件的该表面之间形成第四密封。

本文中所述的O形环包含多个密封构件，从而允许O形环密封在多个位置中。O形环具有在保护O形环的其他部分的同时耐得住损伤的多个部分。O形环是可旋转且可重复使用的。

附图说明