[发明专利]控制NAND操作延时

权利要求书

1.一种用于控制NAND操作延时的装置，所述装置包括：

NAND阵列，其包含若干块，所述若干物理块中的至少一个物理块是关闭的；及

控制器，其用于：

接收写入请求；

计算要在所述关闭的物理块上执行的废弃项目收集操作的次数，所述计算包含将逻辑到物理L2P区搜索比添加到废弃项目收集的节奏计算；

在所述物理块上执行所述经计算次数的废弃项目收集操作，每一废弃项目收集操作包含在给定所述物理块中的页的情况下，所述控制器用于：

搜索L2P表以确定所述页是否有效，所述搜索由包含每一L2P表区的条目的块数据结构指导，所述条目指示所述L2P表区中的逻辑页是否对应于所述物理块；且

响应于所述页有效而将所述页写入到所述若干块中的新物理块；且

响应于正在执行所述经计算次数的废弃项目收集操作而执行所述写入请求。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述L2P区搜索比具有等于所述块数据结构中指示逻辑页与所述物理块的对应性的条目的计数的分子。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述L2P区搜索比具有等于负载阈值参数的分母。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制器经布置以：

接收第二写入请求；

响应于所述块数据结构中的条目的所述计数大于所述负载阈值参数而暂停所述废弃项目收集操作；且

执行所述第二写入请求。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器经布置以：

接收第二写入请求；

响应于已在废弃项目收集循环中在所述物理块上执行阈值次数的废弃项目收集操作而暂停所述废弃项目收集操作；且

执行所述第二写入请求。

6.一种用于控制NAND操作延时的方法，所述方法包括：

在NAND装置的控制器处接收写入请求；

计算要在关闭的物理块上执行的废弃项目收集操作的次数，所述计算包含将逻辑到物理L2P区搜索比添加到废弃项目收集的节奏计算；

在所述物理块上执行所述经计算次数的废弃项目收集操作，每一废弃项目收集操作包含在给定所述物理块中的页的情况下：

搜索L2P表以确定所述页是否有效，所述搜索由包含每一L2P表区的条目的块数据结构指导，所述条目指示所述L2P表区中的逻辑页是否对应于所述物理块；且

响应于所述页有效而将所述页写入到新物理块；及

响应于正在执行所述经计算次数的废弃项目收集操作而执行所述写入请求。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述L2P区搜索比具有等于所述块数据结构中指示逻辑页与所述物理块的对应性的条目的计数的分子。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述L2P区搜索比具有等于负载阈值参数的分母。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括：

接收第二写入请求；

响应于所述块数据结构中的条目的所述计数大于所述负载阈值参数而暂停所述废弃项目收集操作；及

执行所述第二写入请求。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述L2P区搜索比添加到所述节奏计算包含将所述L2P区搜索比添加到所述废弃项目收集写入。

11.根据权利要求6所述的方法，其包括：

接收第二写入请求；

响应于已在废弃项目收集循环中在所述物理块上执行阈值次数的废弃项目收集操作而暂停所述废弃项目收集操作；及

执行所述第二写入请求。