[发明专利]基于共振能量转移的量子点LED设计

权利要求书

1.一种照明器件，所述照明器件包括：

第一传导层；

第二传导层；

设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间的空穴传输层；

设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间的电子传输层；和

多个发光纳米结构，其中所述多个发光纳米结构设置在所述电子传输层和所述空穴传输层之间的单独的层中，所述单独的层具有通过所述单独的层的厚度的多个不连续部，使得所述空穴传输层和所述电子传输层在所述多个不连续部处彼此接触，或所述多个发光纳米结构设置在所述电子传输层中，或所述多个发光纳米结构设置在所述空穴传输层中，或所述多个发光纳米结构设置在包含所述空穴传输层和所述电子传输层两者的混合层中。

2.根据权利要求1所述的照明器件，其中所述多个发光纳米结构包含多个量子点。

3.根据权利要求2所述的照明器件，其中所述多个量子点包含具有核-壳结构的量子点，其中所述核-壳结构的壳的厚度在1纳米至5纳米之间。

4.根据权利要求3所述的照明器件，其中所述多个量子点包含所述核-壳结构的核材料为磷化铟(InP)的量子点。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的照明器件，其中所述单独的层具有一个单层的厚度。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的照明器件，其中所述多个不连续部形成无规图案。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的照明器件，其中所述多个不连续部形成规则图案。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的照明器件，所述照明器件还包括设置在所述第一传导层和所述空穴传输层之间的空穴注入层。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的照明器件，其中所述电子传输层包含多个ZnMgO纳米晶体。

10.一种量子点发光二极管(QD-LED)器件，所述器件包括：

层堆叠，所述层堆叠包括：

第一传导层，

第二传导层，

设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间的空穴传输层，

设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间的电子传输层，和

多个量子点，其中所述多个量子点设置在所述电子传输层和所述空穴传输层之间单独的层中，所述单独的层具有通过所述单独的层的厚度的多个不连续部，使得所述空穴传输层和所述电子传输层在所述多个不连续部处彼此接触，或所述多个量子点设置在所述电子传输层中，或所述多个发光纳米结构设置在所述空穴传输层中，或所述多个量子点设置在包含所述空穴传输层和所述电子传输层两者的混合层中；

联接至所述第一传导层的第一接触件；

联接至所述第二传导层的第二接触件；和

配置为包围所述层堆叠的封装材料。

11.根据权利要求10所述的QD-LED器件，其中所述封装材料包含环氧树脂。

12.根据权利要求10或11中任一项所述的QD-LED器件，其中所述多个量子点包含具有核-壳结构的量子点，其中所述核-壳结构的壳的厚度在1纳米至5纳米之间。

13.根据权利要求12所述的QD-LED器件，其中所述多个量子点包含所述核-壳结构的核材料为磷化铟(InP)的量子点。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的QD-LED器件，其中所述单独的层具有一个单层的厚度。

15.根据权利要求10-14中任一项所述的QD-LED器件，其中所述层堆叠还包括设置在所述第一传导层和所述空穴传输层之间的空穴注入层。