[发明专利]晶片级封装件和制造方法

权利要求书

1.一种晶片级封装件，包括：

-功能晶片，具有第一表面；

-器件结构，连接到布置在所述第一表面上的器件焊盘；

-盖晶片，具有内表面和外表面，利用所述内表面被键合到所述功能晶片的所述第一表面；

-框架结构，围绕所述器件结构并且被布置在功能晶片与盖晶片之间；

-连接柱，将所述第一表面上的所述器件焊盘连接到所述内表面上的内部盖焊盘；

-导电过孔，被引导穿过所述盖晶片，所述导电过孔连接所述盖晶片的所述内表面上的内部盖焊盘和所述外表面上的封装焊盘。

2.根据前述权利要求所述的晶片级封装件，

其中所述功能晶片是在所述第一表面上具有薄膜功能层的衬底晶片，

其中所述盖晶片包括与所述衬底晶片相同的材料，

其中所述盖晶片的厚度小于所述功能晶片的厚度。

3.根据前述权利要求之一所述的晶片级封装件，

其中所述功能晶片是硅晶片，所述硅晶片具有在它的所述第一表面上施加的薄膜压电层，

其中所述器件结构是被适配用于在所述压电层中激发声波的电极。

4.根据前述权利要求之一所述的晶片级封装件，包括：

-桥接线，在所述内表面上，所述桥接线连接两个连接柱，以及

-导体线，在所述第一表面上，所述导体线的侧面是所述两个连接柱而不与所述两个连接柱接触，

-气隙，在桥接线与导体线之间，以使得所述桥接线和所述导体线形成无接触线路交叉。

5.根据前述权利要求之一所述的晶片级封装件，

其中所述过孔被填充有钨，

其中在所述盖晶片的所述内表面上或所述外表面上的内部盖焊盘或封装焊盘之一包括结构化的钨层。

6.一种制造根据权利要求1所述的晶片级封装件的方法，包括步骤：

a)提供盖晶片；

b)在所述盖晶片中形成孔至深度d_V；

c)利用金属来填充所述孔以形成过孔的在前阶段；

d)如果有要求，对表面上的金属结构化，否则从晶片表面去除金属；

e)提供与孔填充金属接触的结构化的金属化层，以形成第一接触焊盘；

f)将具有所述接触焊盘的所述盖晶片键合到第二晶片；

g)从与所述接触焊盘相对的表面研磨所述盖晶片，并且从背面暴露所述金属填充的孔，由此形成贯通过孔；

h)在所述盖晶片上形成与暴露的所述过孔接触的第二接触焊盘，

其中根据第一变体，步骤d)包括将第一键合金属施加到所述第一接触焊盘上，并且其中在步骤e)中使用的所述第二晶片是器件晶片，所述器件晶片包括载体晶片，所述载体晶片在其上被提供有薄功能层，器件结构和覆盖有第二键合金属的器件焊盘被布置在所述薄功能层上，

其中步骤e)中的键合通过以下来完成：将覆盖有所述第一键合金属的所述第一接触焊盘键合到所述功能晶片上的覆盖有所述第二键合金属的所述器件焊盘。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中根据第二变体，方法步骤a)至步骤g)利用以下偏离的规定被执行：

在步骤f)中，临时载体晶片被用作第二晶片，

在步骤h)之后，步骤i)至步骤l)被执行：

i)向所述盖晶片上的所述第一接触焊盘提供第一键合金属，

j)提供器件晶片，所述器件晶片包括载体晶片，所述载体晶片在其上具有薄功能层，器件结构和覆盖有第二键合金属的器件焊盘被布置在所述薄功能层上，

k)通过将所述第二接触焊盘键合到所述器件焊盘，来执行晶片键合工艺，

l)所述临时载体晶片从所述盖晶片的分裂。

8.根据权利要求6或7所述的方法，

包括在步骤b)之后执行的步骤b1)和在步骤g)之后执行的步骤g1)，

b1)至少在具有所述孔的所述盖晶片的表面上形成第一钝化层，

g1)在从所述背面暴露所述过孔之后，至少在所述盖晶片的所述表面上形成第二钝化层。