[发明专利]摄像元件和电子设备

说明书

本技术涉及：能够增大电荷累积容量的摄像元件和电子设备。该摄像元件包括：基板；第一像素，其包括设置在基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与第一光电转换区域相邻地设置在基板中的第二光电转换区域；第一分离部，其在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间设置于基板中；以及第二分离部，其将彼此相邻的像素组分离，所述像素组至少包括第一像素和第二像素。在第一光电转换区域和第二光电转换区域中的至少一个光电转换区域中，存在有第一分离部的至少一个凸部。在所述凸部的侧面上层叠有p型杂质区域和n型杂质区域。本发明例如能够应用于图像传感器。

技术领域

本技术涉及摄像元件和电子设备，例如，涉及其中能够使光电二极管的电荷累积容量增大的摄像元件和电子设备。

背景技术

作为数码摄像机、数码相机、移动电话、智能手机或可穿戴设备等中的摄像装置，有如下这样的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器：该CMOS图像传感器通过MOS晶体管读出在作为光电转换元件的光电二极管(PD)的pn结电容中累积的光电荷。

近年来，在CMOS图像传感器中，伴随着器件的小型化，PD自身也需要小型化。然而，如果单纯地减小PD的光接收面积，则它的光接收灵敏度就会降低，并且难以实现高清图像质量。因此，在CMOS图像传感器中，需要在使PD小型化的同时提高光接收灵敏度。

作为用于提高使用硅基板的CMOS图像传感器的光接收灵敏度的技术，专利文献1和专利文献2提出了通过注入杂质(离子注入)在PD的深度方向上形成呈梳齿状的多个pn结区域的方法。专利文献3提出了通过注入杂质在PD内在横向方向上形成多个pn结区域的方法。

[文献引用列表]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请特开第JP 2008-16542A号

[专利文献2]日本专利申请特开第JP 2008-300826A号

[专利文献3]日本专利申请特开第JP 2016-111082A号

发明内容

[要解决的技术问题]

根据专利文献1至专利文献3，由于利用杂质注入在PD内形成pn结区域，因此难以以期望的浓度形成均匀的p型区域或n型区域，并且难以形成急剧的pn结区域，于是，要想实现灵敏度的充分提高是十分困难的。此外，需要高能量注入才能通过注入杂质在PD内的深处形成pn结区域。于是，通过注入杂质在PD内的深处形成pn结区域是十分困难的。

在如专利文献1至专利文献3中那样在PD内形成呈梳齿状的pn结区域的情况下，难以在PD的深处部分中形成pn结区域，并且难以以均匀的浓度形成多个pn结区域的p型区域和n型区域。因此，根据专利文献1至专利文献3，难以提高灵敏度。

此外，当注入杂质时，可能会损坏基板并且可能会形成缺陷。如果形成了上述缺陷，则可能加剧PD中的白点或白色划痕。

目前期望的是，在pn结区域的形成过程中能够在抑制对基板的损坏的同时，形成急剧的pn结并提高PD的灵敏度。

鉴于上述情况而做出了本技术，并且本技术被构造为能够提高PD的灵敏度。

[解决问题的方案]