[发明专利]成像元件、电子设备和成像元件的驱动方法在审
申请号: | 201980032183.6 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN112119502A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 小笠原隆行 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088;H01L27/30;H04N5/347;H04N5/369;H04N5/3745;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 电子设备 驱动 方法 | ||
根据本发明的实施例的该成像元件包括第一光电转换部和第二光电转换部,所述第一光电转换部和所述第二光电转换部从光入射侧依次堆叠并且选择性地检测互不相同的波长段的光束并进行光电转换,并且所述第二光电转换部以比所述第一光电转换部的像素间距窄的间隔布置。
技术领域
本发明涉及例如在垂直方向上堆叠多个光电转换部的成像元件、电子设备和驱动该成像元件的方法。
背景技术
近年来,在诸如CCD(电荷耦合器件)图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固体摄像装置中的像素尺寸的小型化方面已经取得了进展。这导致进入单位像素的光子数量减少,从而导致灵敏度以及信噪比降低。另外,在使用将红色、绿色和蓝色的原色滤色器二维排列以进行着色的滤色器的情况下,例如,绿色和蓝色的光束被红色像素中的滤色器吸收,从而导致灵敏度降低。此外,在产生各个颜色信号时在像素之间执行插值处理,从而导致所谓的假彩色的发生。
因此,例如,专利文献1公开了所谓的垂直分光固体成像器件,其中,堆叠有包含有机光电转换膜的有机光电转换部和在半导体基板内的分别具有p-n结的两个无机光电转换部。在这种固体成像器件中,从一个像素中分别获取B(蓝)/G(绿)/R(红)的信号,因此实现了灵敏度的提高。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本待审查专利申请第2011-29337号公报
发明内容
顺便提及地,如上所述的垂直分光成像器件被期望实现分辨率和颗粒感。
期望提供能够实现分辨率的提高和颗粒感的改善的成像元件、包括该成像元件的电子设备和驱动该成像元件的方法。
根据本发明的实施例的成像元件包括第一光电转换部和第二光电转换部,所述第一光电转换部和所述第二光电转换部从光入射侧被依次堆叠并且选择性地检测和光电转换不同波长段的光束,并且所述第二光电转换部以比所述第一光电转换部的像素间距(pixel pitch)窄的间隔布置。
根据本发明的实施例的电子设备包括用于各个像素的多个成像元件,并且包括根据本发明的实施例的上述成像元件作为各所述成像元件。
在包括第一光电转换部和第二光电转换部的成像元件中,所述第一光电转换部和第二光电转换部从光入射侧被依次堆叠并且选择性地检测和光电转换不同波长段的光束,其中,所述第二光电转换部以比所述第一光电转换部的像素间距窄的间隔布置。根据本发明的实施例的成像元件的驱动方法包括:使用所述第一光电转换部的一个像素获取第一光的颜色信号;和通过多个所述第二光电转换部中的加法获得不同于所述第一光的波长段的第二光的颜色信号。
在根据本发明的各个实施例的成像元件、电子设备和成像元件的制造方法中,选择性地检测和光电转换不同波长段的光束的所述第一光电转换部和所述第二光电转换部从光入射侧被依次堆叠,并且所述第二光电转换部的像素间距构成比所述第一光电转换部的像素间距更窄的间隔。这使得例如能够在高灵敏度模式下从各个光电转换部获取没有相移的颜色信号。
根据本发明的各个实施例的成像元件、电子设备和成像元件的制造方法,在选择性地检测和光电转换不同波长段的光束的所述第一光电转换部和所述第二光电转换部中,所述第二光电转换部的像素间距是以比布置在光入射侧的所述第一光电转换部更窄的间隔布置的。这使得能够在例如高灵敏度模式下从各个光电转换部获取没有相移的颜色信号。因此,能够实现分辨率的提高和颗粒感的改善。
需要注意的是,这里描述的效果未必是限定性的,并且可以是本说明书中描述的任何效果。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的成像元件的主要部分的构造的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的