[发明专利]锡系钙钛矿层以及太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201980031877.8 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN112106219A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 若宫淳志;尾崎雅司;刘劼玮 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊;高珊 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锡系钙钛 矿层 以及 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种钙钛矿层的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
将包含锡系钙钛矿化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶剂的工序；以及
将所述基板进行退火处理的工序；
其中，所述反溶剂为45℃以上100℃以下。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶剂为50℃以上85℃以下。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶剂为50℃以上70℃以下。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶剂为通过一边旋转所述基板一边滴下所述反溶剂而进行涂布，并于所述反溶剂涂布后2.5秒以上7.5秒以内停止所述旋转。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述退火处理的工序包含将所述基板于包含溶剂蒸气的密闭系统中阶段性地加热的工序。
6.一种钙钛矿层的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
将包含锡系钙钛矿化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶剂的工序；以及
将所述基板进行退火处理的工序；
其中，所述反溶剂为室温以上，由此促进晶种的形成，且抑制由晶种的结晶成长。
7.一种钙钛矿层的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
将包含锡系钙钛矿化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶剂的工序；以及
将所述基板进行退火处理的工序；
其中，所述钙钛矿层的锡系钙钛矿化合物的覆盖率为98％以上100％以下。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述钙钛矿化合物的平均粒子直径为150nm以上500nm以下。
9.一种钙钛矿型太阳能电池的制造方法，其特征在于，
包含权利要求1所述的方法。
10.一种钙钛矿型发光元件的制造方法，其特征在于，
包含权利要求1所述的方法。
11.一种钙钛矿层，其特征在于，
锡系钙钛矿化合物的覆盖率为95％以上100％以下。
12.根据权利要求11所述的钙钛矿层，其特征在于，
所述锡系钙钛矿化合物的平均粒子直径为150nm以上500nm以下。
13.一种钙钛矿型太阳能电池，其特征在于，
包含权利要求11所述的钙钛矿层。
14.一种钙钛矿型发光元件，其特征在于，
包含权利要求11所述的钙钛矿层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
