[发明专利]微机电系统和纳米机电系统结构

权利要求书

1.一种制造机电系统结构的方法，其包括：

提供堆栈，其中所述堆栈包括

在平面中延伸的结构层，

侧壁层，其包括

第一部分，其位于平行于所述结构层平面的平面中，和

第二部分，其位于横切于所述结构层平面的平面中，

蚀刻停止层，其定位于所述侧壁层与所述结构层之间，包括不同于所述结构层的蚀刻选择性和所述侧壁层的蚀刻选择性的蚀刻选择性，和

模，其包括平行于所述侧壁层的第二部分的壁；

蚀刻所述侧壁层的第一部分以曝露所述蚀刻停止层；

去除所述模；

蚀刻所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第二部分遮蔽所述蚀刻停止层的一部分；

去除所述侧壁层的第二部分；和

蚀刻所述结构层使得所述蚀刻停止层的所述部分遮蔽所述结构层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述结构包括：

将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层；和

将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中提供所述结构包括：

将所述侧壁层黏着至所述模使得所述侧壁层的第二部分被黏着至所述模；和

将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第一部分被附接至所述蚀刻停止层。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其进一步包括在去除所述侧壁层的第一部分之后去除所述模。

5.根据权利要求1之2中任一项所述的方法，其进一步包括使用光刻程序图案化所述模，其中所述侧壁层的第二部分较所述光刻程序的光刻限制薄。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中提供结构包括将牺牲层定位于所述结构层与基板之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在蚀刻所述结构层之后去除所述牺牲层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中提供所述堆栈包括：

提供所述基板；

在提供所述基板之后，将所述牺牲层黏着至所述基板；

在将所述牺牲层黏着至所述基板之后，将所述结构层黏着至所述牺牲层；

在将所述结构层黏着至所述牺牲层之后，将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层；

在将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层之后，将所述模黏着至所述蚀刻停止层；

在将所述模黏着至所述蚀刻停止层之后，使用微影程序图案化所述模，其中所述侧壁层的第二部分较所述微影程序的微影限制薄；和

在图案化所述模之后，将所述侧壁层黏着至所述模和所述蚀刻停止层。

9.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其进一步包括：

提供玻璃基板；

将所述结构层的所述部分附接至所述玻璃基板；和

将辐射热计像素附接至所述结构层的所述部分。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其进一步包括：

提供机电系统装置；和

将所述蚀刻停止层的所述部分附接至所述机电系统装置。

11.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述结构层的所述部分小于250nm宽。

12.一种辐射热计，其包括：

玻璃基板；

结构，其小于250nm宽且耦合至所述玻璃基板；和

辐射热计像素，其耦合至所述结构。

13.一种制造机电系统结构的方法，其包含：

提供第一材料；

沉积第二材料，其中所述第二材料扩散至所述第一材料中以形成第三材料；和

去除所述第一材料和所述第三材料中的一个。