[发明专利]电子装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980023429.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111954925A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 五十岚康二;木下仁;栗原宏嘉;三浦彻 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;C09J7/38;C09J133/00;C09K3/10 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：
工序(1)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜、电子部件和支撑基板，
所述粘着性膜具备：基材层，设置于所述基材层的第1面侧且用于临时固定电子部件的粘着性树脂层A，以及设置于所述基材层的第2面侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层B，
所述电子部件粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层A，
所述支撑基板粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层B；
工序(2)，选自使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)和使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种；以及
工序(3)，通过密封材将所述电子部件密封。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)包括使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)，
所述工序(2-1)在所述工序(1)之前进行。
3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(2-1)中，通过对所述粘着性膜进行加热和/或对所述粘着性膜进行减压，从而使所述粘着性膜中的水分量降低。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)包括使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2)，
所述工序(2-2)在所述工序(1)与所述工序(3)之间进行。
5.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(2-2)中，通过对所述结构体进行加热和/或对所述结构体进行减压，从而使所述结构体中的水分量降低。
6.根据权利要求4或5所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)在即将进行所述工序(3)之前进行。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(3)之后，进一步具备工序(4)：通过给予外部刺激，使所述粘着性树脂层B的粘着力降低，从所述结构体剥离所述支撑基板。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(4)之后，进一步具备工序(5)：从所述电子部件剥离所述粘着性膜。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)与所述工序(3)的间隔为12小时以内。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的电子装置的制造方法，
所述密封材为环氧树脂系密封材。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子装置的制造方法，
所述粘着性树脂层A包含(甲基)丙烯酸系粘着性树脂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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