[发明专利]应变片及其制造方法

权利要求书

1.一种应变片，包括：

基材，具有可挠性；以及

电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；

其中，所述电阻体包括作为最下层的第一层、以及层叠在所述第一层上的作为表面层的第二层，

所述第二层是密度高于所述第一层的层。

2.根据权利要求1所述的应变片，其中，

在所述第一层与所述第二层之间包括一个以上的其他的层，并且密度从所述第一层到所述第二层逐渐地升高。

3.根据权利要求1或2所述的应变片，其中，

与所述第二层相比的下层具有柱状结构。

4.根据权利要求3所述的应变片，其中，

所述第二层的膜厚为具有所述柱状结构的层的总厚度的一半以下。

5.根据权利要求1或2所述的应变片，其中，

所述电阻体以α-铬作为主成分。

6.根据权利要求5所述的应变片，其中，

所述电阻体包含80重量％以上的α-铬。

7.根据权利要求5所述的应变片，其中，

所述电阻体包含氮化铬。

8.根据权利要求1或2所述的应变片，包括：

功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成，

其中，所述电阻体形成在所述功能层的一个表面上。

9.根据权利要求8所述的应变片，其中，

所述功能层具有促进所述电阻体的晶体生长的功能。

10.根据权利要求1或2所述的应变片，包括：

绝缘树脂层，覆盖所述电阻体。

11.一种应变片的制造方法，包括：

在具有可挠性的基材上，利用溅射法由包含铬和镍中的至少一者的材料形成电阻体的工序；

其中，所述电阻体包括作为最下层的第一层、以及层叠在所述第一层上的作为表面层的第二层，

所述第二层是密度高于所述第一层的层，

在形成所述电阻体的工序中，对导入腔室内的稀有气体的压力或溅射功率进行控制以改变所述第一层和所述第二层的密度。