[发明专利]抗反射光学衬底和制造方法在审
| 申请号: | 201980017312.4 | 申请日: | 2019-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN111819498A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
| 发明(设计)人: | P·V·凯尔卡 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B1/118 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 光学 衬底 制造 方法 | ||
一种设置有抗反射涂层的衬底(50),其中抗反射涂层由纳米结构层(52)组成。纳米结构可以通过如下方式来形成:沉积诸如SiO2等材料,并且然后使用与电感耦合等离子体源相结合的诸如反应离子蚀刻等工艺。还公开了制造工艺的其他方面。
本申请要求于2018年3月6日提交的美国临时专利申请号62/639,063的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及具有抗反射表面的衬底,该抗反射表面例如用于在使用光刻技术制造器件的工具中的光学元件中。
背景技术
光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。对于该应用,可以将图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个管芯或几个管芯)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。
已知光刻装置包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射光束对图案进行扫描,同时平行或反平行于该方向同步地扫描衬底,来照射每个目标部分。通过将图案压印到衬底上,也可以将图案从图案形成装置转印到衬底上。
有多种技术用于测量在光刻工艺中形成的微观结构,包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。一种形式的专用检查工具是散射仪,其中将辐射束引导到衬底的表面上的目标上,并且测量散射束或反射束的性质。通过比较光束在被衬底反射或散射之前和之后的性质,可以确定衬底的各种性质。例如,这可以通过将反射光束与存储在与已知衬底性质相关联的已知测量值的库中的数据进行比较来完成。已知两种主要的散射仪类型。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上,并且测量被散射到特定窄角度范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪使用单色辐射束,并且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。后一类中包括使用辐射束衍射级的相位信息的干涉法。
工具内的这些和其他应用需要使用各种类型的光学组件。有利的是:为这些光学组件的表面提供抗反射(AR)涂层,以减少不必要的反射。物理气相沉积是一种用于在光学表面上沉积AR涂层的常用方法。在这样的涂层中,具有不同折射率的材料薄层被沉积在表面上,以获取低的总反射率。出于实际目的,在涂覆工艺中通常仅使用几种材料。结果,这些多层涂层具有有限的波长带宽(例如,对于可见光应用为450-700nm)和有限的入射角范围(0至30度),在该范围内它们是有效的并且反射率小于0.5%。
因此,需要能够提供在更宽的波长范围和更宽的入射角范围内有效的抗反射涂层。
发明内容
下面给出了一个或多个实施例的简化概述,以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽概述,并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素,也不旨在界定任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些概念,作为稍后呈现的更详细描述的序言。
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