[发明专利]抗反射光学衬底和制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

衬底；

沉积在所述衬底上的多个层，所述多个层至少包括与所述衬底相邻的第一层和包括抗反射涂层的第二层，所述抗反射涂层具有渐变折射率，所述抗反射涂层包括在所述第二层中蚀刻的多个纳米结构，所述第二层包括SiO₂。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个层包括在所述第一层与所述第二层之间的多个交替的堆叠层，所述多个交替的堆叠层包括第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层包括具有第一折射率的第一材料，所述第二堆叠层包括具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二材料。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括Ta₂O₅。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括Nb₂O₅。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括TiO₂。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括HfO₂。

7.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括ZrO₂。

8.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一材料包括Al₂O₃。

9.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二材料包括SiO₂。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层使用反应离子蚀刻被蚀刻。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述反应离子蚀刻使用碳氟化合物和O₂的组合。

12.根据权利要求10所述的装置，其中使用反应离子蚀刻的蚀刻包括电感耦合等离子体源的使用。

13.一种制备具有抗反射涂层的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上沉积多个层，所述多个层至少包括顶层，所述顶层包括SiO₂；以及

在所述顶层中蚀刻纳米结构，以产生具有渐变折射率的抗反射涂层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述顶层中蚀刻纳米结构的步骤包括：使用反应离子蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中使用反应离子蚀刻在所述顶层中蚀刻纳米结构的步骤包括：使用碳氟化合物和O₂的组合。

16.根据权利要求14所述的方法，其中使用反应离子蚀刻在所述顶层中蚀刻纳米结构的步骤包括：使用电感耦合等离子体源。

17.根据权利要求13所述的方法，其中在所述衬底上沉积多个层的步骤包括：在沉积所述顶层之前，在所述衬底上，沉积多个交替的堆叠层，所述多个交替的堆叠层包括第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层包括具有第一折射率的第一材料，所述第二堆叠层包括具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二材料。

18.根据权利要求14所述的方法，其中使用反应离子蚀刻在所述顶层中蚀刻纳米结构的步骤包括：将所述衬底装载在反应离子蚀刻器的电极上的步骤，所述电极包括阳极氧化铝。