[发明专利]光电转换元件、成像元件、光传感器、化合物

说明书

本发明提供一种光电变换元件、成像元件、光传感器及化合物，所述光电变换元件具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜。本发明的光电变换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。

技术领域

本发明涉及一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物。

背景技术

近年来，正在进行具有光电转换膜的元件(例如，成像元件)的开发。

关于使用光电转换膜的光电变换元件，例如，在专利文献1中公开有具有包含特定的化合物的光电转换膜的光电变换元件。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-077064号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

作为成像元件的一方式，可以举出层叠多个所接收的光的种类不同的光电变换元件而成的层叠型成像元件。当光向该成像元件内入射时，入射光的一部分被配置于入射侧的光电变换元件吸收而所透射的光进一步被配置于内侧的光电变换元件吸收。在这种成像元件中，各光电变换元件的吸收峰的半宽度窄的容易分色，因此优选。

本发明人等针对专利文献1中所记载的光电变换元件的特性进行研究结果，发现光电变换元件内的光电转换膜的吸收峰的半宽度宽，需要进一步进行改善。

鉴于上述实际情况，本发明的课题在于提供一种具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜的光电变换元件。

并且，本发明的课题还在于提供一种成像元件、光传感器及化合物。

用于解决技术课题的手段

本发明人等对上述课题进行了深入探讨，其结果发现，通过将具有规定结构的化合物用于光电转换膜，能够解决上述课题，以至于完成了本发明。

(1)一种光电变换元件，依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，

光电转换膜包含后述式(1)所表示的化合物。

(2)根据(1)所述的光电变换元件，其中，

式(1)所表示的化合物为后述式(2)所表示的化合物。

(3)根据(1)或(2)所述的光电变换元件，其中，

式(1)所表示的化合物为后述式(3)所表示的化合物。

(4)根据(1)～(3)中任一项所述的光电变换元件，其中，

式(1)所表示的化合物为后述式(4)所表示的化合物。

(5)根据(1)～(4)中任一项所述的光电变换元件，其中，

R^a1及R^a2分别独立地表示碳原子数3以上的取代基。

(6)根据(1)～(5)中任一项所述的光电变换元件，其中，

R^a1及R^a2分别独立地表示碳原子数3以上的仲烷基、碳原子数3以上的芳基或碳原子数3以上的杂芳基。

(7)根据(1)～(6)中任一项所述的光电变换元件，其中，

光电转换膜还包含n型有机半导体，

光电转换膜具有在混合有式(1)所表示的化合物与n型有机半导体的状态下形成的本体异质结构。

(8)根据(1)～(7)中任一项所述的光电变换元件，其中，