[发明专利]用于压印的光掩膜及其制造方法有效
申请号: | 201980015600.6 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN111771161B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 孙镛久;李承宪;裵南锡 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;吴娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 压印 光掩膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种压印光掩模,包括:
透明基底;
设置在所述透明基底上的光阻挡图案;和
设置在所述光阻挡图案上的干膜抗蚀剂图案,
其中相邻所述光阻挡图案之间的距离为30μm或更小,以及所述光阻挡图案的厚度为1μm或更小,
其中所述光阻挡图案的厚度和所述干膜抗蚀剂图案的厚度之和为10μm或更大,以及
其中所述光阻挡图案和所述干膜抗蚀剂图案的厚度与相邻所述光阻挡图案之间的距离的比率为1或更大。
2.根据权利要求1所述的压印光掩模,其中所述光阻挡图案包含Cu、Al、Cr、Ni及其合金中的一者或更多者。
3.根据权利要求1所述的压印光掩模,还包括:
设置在所述压印光掩模的整个表面上的离型层。
4.一种制造压印光掩模的方法,所述方法包括:
在透明基底上形成光阻挡层;
在所述光阻挡层上形成干膜抗蚀剂图案;以及
通过使用所述干膜抗蚀剂图案作为掩模对所述光阻挡层进行蚀刻形成光阻挡图案,
其中相邻所述光阻挡图案之间的距离为30μm或更小,以及所述光阻挡图案的厚度为1μm或更小,
其中所述光阻挡图案的厚度和所述干膜抗蚀剂图案的厚度之和为10μm或更大,以及
其中所述光阻挡图案和所述干膜抗蚀剂图案的厚度与相邻所述光阻挡图案之间的距离的比率为1或更大。
5.根据权利要求4所述的方法,其中在所述光阻挡层上形成所述干膜抗蚀剂图案包括:将干膜抗蚀剂层合在所述光阻挡层上;以及通过使用光学过程和显影过程形成所述干膜抗蚀剂图案。
6.根据权利要求4所述的方法,还包括:
在所述光阻挡图案的形成之后在所述压印光掩模的整个表面上形成离型层。
7.一种制造分隔壁图案的方法,所述方法包括:
在基底上形成可UV固化树脂层;以及
通过使用根据权利要求1至3中任一项所述的压印光掩模并对所述可UV固化树脂层进行压印光学过程形成分隔壁图案,
其中所述分隔壁图案的厚度与所述分隔壁图案的线宽的比率为1或更大。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述分隔壁图案的厚度为10μm或更大。
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