[发明专利]落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构

权利要求书

1.一种微电子器件，其包括：

第一介电层；

在所述第一介电层上方的金属层；

在所述第一介电层上的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括金属氧化物，所述蚀刻停止层的厚度小于10纳米；以及

在所述蚀刻停止层上的第二介电层，其中蚀刻区域从所述蚀刻停止层的顶表面向上延伸到所述第二介电层的顶表面，并且至少部分地在所述金属层上方横向延伸，所述蚀刻区域没有所述第二介电层。

2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述蚀刻区域没有所述蚀刻停止层。

3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属层包括选自由铂、金、铱、银、钯、铑、钌、铼镍、铝和铜组成的组中的金属。

4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属氧化物选自由氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钒和氧化钽组成的组。

5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述蚀刻区域在所述金属层的所有侧面上延伸超过所述金属层。

6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述蚀刻区域在所述蚀刻停止层下方延伸，并且其中所述蚀刻区域没有所述第一介电层。

7.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括至所述金属层的电连接件，所述电连接件位于所述第一介电层中。

8.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括至所述金属层的电连接件，所述电连接件包括穿过所述蚀刻停止层至所述金属层的引线键合，其中所述引线键合接触所述蚀刻停止层。

9.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述蚀刻区域的宽度小于所述第二介电层的厚度。

10.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第二介电层的面向所述蚀刻区域的侧表面是直的。

11.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属层设置在所述第一介电层中的沟槽中。

12.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一介电层包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组的介电材料，并且所述第二介电层包括选自由二氧化硅、氮化硅和氧氮化硅组成的组的介电材料。

13.一种形成微电子器件的方法，其包括：

形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成金属层；

在所述金属层和与所述金属层直接相邻的所述第一介电层上方形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括金属氧化物，所述蚀刻停止层的厚度小于10纳米；

在所述蚀刻停止层上方形成第二介电层；并且

通过在所述蚀刻停止层上停止的等离子体蚀刻工艺从蚀刻区域去除所述第二介电层，所述蚀刻区域从所述蚀刻停止层的顶表面向上延伸到所述第二介电层的顶表面，并至少部分地在所述金属层上方横向延伸。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述蚀刻停止层包括通过原子层沉积(ALD)工艺形成所述金属氧化物。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属氧化物选自由氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钒和氧化钽组成的组。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属层包括选自由铂、金、铱、银、钯、铑、钌、铼镍、铝和铜组成的组中的金属。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述等离子体蚀刻工艺使用含氟试剂，并且不含稀有气体和氧气。

18.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在所述蚀刻区域中去除所述蚀刻停止层。