[发明专利]银纳米线墨和透明导电膜

说明书

本发明的课题在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、可以以比较少的工序制造的银纳米线墨，和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。本发明涉及一种银纳米线墨，含有分子内具有脲键的分子量60～250的低分子量脲化合物、银纳米线、粘合剂树脂和分散介质。还涉及一种透明导电膜，是在透明基材上涂布上述银纳米线墨并干燥而得到的。

技术领域

本发明涉及透明导电图案形成用的银纳米线墨和将上述银纳米线墨涂布在基材上而形成的透明导电膜。

背景技术

在对含有银纳米线作为导电材料的透明导电图案在高温高湿下施加电压时，有时会看到从银纳米线溶解出的银离子在透明导电图案间扩散的现象(迁移)。该现象有可能是导致图案间的短路或劣化的因素，所以需要抑制银离子的扩散，提高透明导电图案间的耐迁移性。

下述专利文献1～3中公开了通过添加银离子捕捉剂、防腐蚀剂、螯合剂来抑制银离子扩散的含银纳米线导电性图案材料、导电性糊剂。

但是，专利文献1记载的方法，在将银纳米线涂布在基材上后，需要另行赋予银离子捕捉剂的工序，存在工序繁杂的问题。

此外，专利文献2中使用的防腐蚀剂、专利文献3中使用的螯合剂，通过与金属纳米线的表面结合而发挥效果，所以有妨碍纳米线彼此接触，导电性恶化的风险。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2013-201003号公报

专利文献2:日本特表2009-505358号公报

专利文献3:日本特开2006-260885号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、能够以更少的工序制造的银纳米线墨，和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。

解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明包含以下的实施方式。

[1].一种银纳米线墨，含有分子内具有脲键的分子量60～250的低分子量脲化合物、银纳米线、粘合剂树脂和分散介质。

[2].如[1]所述的银纳米线墨，所述银纳米线墨中的所述低分子量脲化合物的含有率为0.02～0.20质量％、银纳米线的含有率为0.01～1.50质量％、粘合剂树脂的含有率为0.01～2.00质量％。

[3].如[1]或[2]所述的银纳米线墨，所述低分子量脲化合物是选自脲、脲的1个或2个氢原子被碳原子数1～3的烷基或苯基置换了的取代脲化合物中的至少一种。

[4].如[1]～[3]的任一项所述的银纳米线墨，所述粘合剂树脂是乙基纤维素或聚N－乙烯基吡咯烷酮。

[5].如[1]～[4]的任一项所述的银纳米线墨，所述分散介质含有水、和C_nH_2n+1OH所表示的碳原子数为1～3的饱和一元醇中的至少一种，其中，n是1～3的整数。

[6].如[5]所述的银纳米线墨，所述分散介质还含有选自乙二醇、丙二醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚中的至少一种。

[7].一种透明导电膜，在透明基材上由[1]～[6]的任一项所述的银纳米线墨形成了透明导电层。

[8].如[7]所述的透明导电膜，所述透明基材是环烯烃聚合物、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任一种的膜。

发明效果