[发明专利]太阳能电池以及具备该太阳能电池的电子设备有效
申请号: | 201980014774.0 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN111742418B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 宇津恒 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张丰桥;闫月 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 以及 具备 电子设备 | ||
本发明提供一种即使特定区域输出导出也容易的太阳能电池。太阳能电池(1)是具备以下部件的背面电极型的太阳能电池:半导体基板(11);配置于半导体基板(11)的两主面中一侧主面侧的第1导电型半导体层及第2导电型半导体层;以及与第1导电型半导体层对应的第1电极层(27)及与第2导电型半导体层的第2电极层(37),在一侧主面具有不包含第1导电型半导体层和第2导电型半导体层的特定区域(60),第1电极层(27)和第2电极层(37)分别具有:带状的多个分支电极层(27f、37f);以及使多个分支电极层(27f、37f)的一端连接起来的主干电极层(27b、37b),第1电极层(27)的主干电极层(27b)具有:包围特定区域(60)外缘的包围状主干电极层(27be);以及从包围状主干电极层(27be)起延伸的带状主干电极层(27bb)。
技术领域
本发明涉及背面电极型(back contact type)(背面接合型:也被称为backjunction type)的太阳能电池和具备该太阳能电池的电子设备。
背景技术
作为使用半导体基板的太阳能电池,存在在受光面侧和背面侧双面形成有电极的双面电极型的太阳能电池和仅在背面侧形成有电极的背面电极型的太阳能电池。在双面电极型的太阳能电池中,在受光面侧形成电极,因此太阳光被该电极遮挡。另一方面,在背面电极型的太阳能电池中,在受光面侧未形成电极,因此,与双面电极型的太阳能电池相比较,太阳光的受光率较高。在专利文献1中公开有背面电极型的太阳能电池。
图1是从背面侧观察这样的以往的背面电极型的太阳能电池的图。图1所示的太阳能电池1X,在半导体基板11的背面侧具有第1导电型半导体层25X和第2导电型半导体层35X。第1导电型半导体层25X是所谓的梳形的形状,具有相当于梳齿的多个指状部和相当于梳齿的支承部的汇流条部。汇流条部沿着半导体基板11的一个边部向X方向延伸,指状部从汇流条部起向与X方向交叉的Y方向延伸。相同地,第2导电型半导体层35X是所谓的梳形的形状,具有相当于梳齿的多个指状部和相当于梳齿的支承部的汇流条部。汇流条部沿着与半导体基板11的一个边部对置的另一个边部向X方向延伸,指状部从汇流条部起向Y方向延伸。第1导电型半导体层25X的指状部与第2导电型半导体层35X的指状部在X方向上交替地排列。由此,第1导电型半导体层25X的形成区域与第2导电型半导体层35X的形成区域相互啮合。通过这样的构造,能够高效地通过各个半导体层回收因来自受光面侧的入射光而在半导体基板11内引起的光生载流子。
在第1导电型半导体层25X和第2导电型半导体层35X上设置有用于将回收到的光生载流子导出至外部的第1电极层27X和第2电极层37X。第1电极层27X是所谓的梳形的形状,具有相当于梳齿的多个指状部27f和相当于梳齿的支承部的汇流条部27b。汇流条部27b沿着半导体基板11的一个边部向X方向延伸,指状部27f从汇流条部27b向与X方向交叉的Y方向延伸。相同地,第2电极层37X是所谓的梳形的形状,具有相当于梳齿的多个指状部37f和相当于梳齿的支承部的汇流条部37b。汇流条部37b沿着与半导体基板11的一个边部对置的另一个边部向X方向延伸,指状部37f从汇流条部37b起向Y方向延伸。指状部27f与指状部37f在X方向交替地排列(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2009-200267号公报
然而,在可穿戴设备或者手表等电子设备中,可预想要求外观设计性较高的产品,设计各种形状的产品。因此,可认为,在搭载于这样的电子设备的太阳能电池中,也要求符合电子设备的形状的各种形状的产品。例如,可认为,在可穿戴设备或者手表等电子设备中,具有设置于太阳能电池的下部的显示部的观察孔、或者供手表的指针的轴等用的贯通孔那样的特定区域的太阳能电池的需求也变高。
然而,在图1所示的以往的背面电极型的太阳能电池1X中,存在若形成例如贯通孔那样的特定区域,则第1电极层27X的指状部27f断开这种情况。因此,不易导出通过第1电极层27X回收到的载流子,即不易导出太阳能电池1X的输出。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的