[发明专利]薄导电膜的穿基板激光图案化及隔离

权利要求书

1.一种复合结构，包括：

(a)基板层，具有第一面及与所述第一面相对的第二面，所述基板层包括材料，所述材料具有在从约180nm至约1000nm的电磁波光谱的至少一部分上在2mm的厚度下大于70％的光学透明度，并且具有约1kΩ-cm或更大的电阻率；

(b)导电层，包括材料，所述材料在从约180nm至约20μm的电磁波光谱的至少一部分上为光学不透明的，具有约10nm或更大的厚度，并且包括至少两个区域，未修改区域及已修改区域，

其中所述导电层的所述未修改区域具有10Ω-cm或更小的电阻率，所述导电层的所述已修改区域具有约1kΩ-cm或更大的电阻率；及

所述导电层还具有第一面及第二面，所述导电层的所述第一面设置在所述基板之所述第二面的至少一部分上；以及

(c)覆盖层，具有第一面及第二面，

其中所述覆盖层之所述第一面设置在所述导电层的所述第二面的至少一部分上，使得所述导电层的所述已修改区域的至少一部分设置在所述覆盖层与所述基板层之间。

2.如权利要求1所述的复合结构，其中设置在所述已修改区域上方的所述覆盖层与设置在所述未修改区域上方的所述覆盖层在物理上或化学上实质上相同。

3.如权利要求1或权利要求2所述的复合结构，其中所述已修改区域与所述未修改区域在物理上或化学上不同。

4.如权利要求3所述的复合结构，其中所述已修改区域在物理上是不同的，其中物理上不同意指所述已修改区域具有不同的电阻率、晶体结构、不同的非晶结构或成为非晶的，或所述覆盖层与所述已修改区域之间的粘附或接触被改变。

5.如权利要求3所述的复合结构，其中所述已修改区域在化学上是不同的，其中化学上不同意指所述已修改区域中的晶胞中的化学结构或化学组分之相对量与所述未修改区域不同，或所述导电层的所述已修改区域的至少部分交互扩散至所述复合结构中的另一层中。

6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的复合结构，其中所述已修改区域与设置在所述已修改区域上方的所述覆盖层物理接触。

7.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的复合结构，其中所述导电层的所述已修改区域与设置在所述已修改区域上方的所述覆盖层空间上分隔，并且所述空间分隔为至少10nm。

8.如权利要求7所述的复合结构，其中所述导电层与所述覆盖层之间的空间上分隔的区域包括气体或孔隙。

9.如权利要求1至权利要求8中任一项所述的复合结构，其中所述导电层的所述已修改区域与所述导电层的所述未修改区域相差约ΔE≥2的CIE L*a*b*色坐标。

10.如权利要求9所述的复合结构，其中所述导电层的所述已修改区域与所述导电层的所述未修改区域相差约ΔE≥3的CIE L*a*b*色坐标。

11.如权利要求1至权利要求10中任一项所述的复合结构，其中所述导电层包括选自由以下组成的群组的材料：氧化物、基于金属的材料、合金及掺杂材料。

12.如权利要求11所述的复合结构，其中所述氧化物包括透明导电氧化物。

13.如权利要求12所述的复合结构，其中所述透明导电氧化物包括金属氧化物。

14.如权利要求13所述的复合结构，其中所述金属氧化物选自由以下组成的群组：铈的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、过氧化锌、锡酸锌、锡酸镉、氧化锌铟、氧化镁铟、氧化铟锡及氧化镓-氧化铟。

15.如权利要求3所述的复合结构，其中所述导电层配置以响应于通过激光照射至少所述导电层产生的热而膨胀。