[发明专利]铁氧体磁芯和包含所述铁氧体磁芯的线圈部件在审
申请号: | 201980010862.3 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN111656464A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 李贤智;廉载勋;金成勋;裵硕;李相元 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01F1/11 | 分类号: | H01F1/11;H01F1/01;H01F27/24;H01F27/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;曲盛 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁氧体 包含 线圈 部件 | ||
1.一种铁氧体磁芯,包含:
多个晶粒,所述多个晶粒包含30摩尔%至40摩尔%的Mn、5摩尔%至15摩尔%的Zn和50摩尔%至60摩尔%的Fe;以及
位于所述多个晶粒之间的多个晶界,
其中所述多个晶粒和所述多个晶界包含Co、Ni、SiO2、CaO和Ta2O5,
所述多个晶粒中所述Co和所述Ni的含量是所述多个晶界中所述Co和所述Ni的含量的两倍以上,
所述多个晶界中所述SiO2、所述CaO和所述Ta2O5的含量是所述多个晶粒中所述SiO2、所述CaO和所述Ta2O5的含量的两倍以上,
磁导率是3000以上,并且
磁芯损耗是800以下。
2.根据权利要求1所述的铁氧体磁芯,其中:
所述多个晶粒和所述多个晶界还包含Nb2O5和V2O5;并且
与所述多个晶粒中所述Nb2O5和所述V2O5的含量相比,所述Nb2O5和所述V2O5以更高的含量分布在所述多个晶界中。
3.根据权利要求1所述的铁氧体磁芯,其中包含1ppm至200ppm的所述SiO2。
4.根据权利要求3所述的铁氧体磁芯,其中包含50ppm至150ppm的所述SiO2。
5.根据权利要求1所述的铁氧体磁芯,其中所述多个晶粒之间的平均间距在0.5μm至3μm的范围内。
6.根据权利要求5所述的铁氧体磁芯,其中所述多个晶粒之间的平均间距在1μm至2μm的范围内。
7.根据权利要求5所述的铁氧体磁芯,其中所述多个晶粒的平均粒径在3μm至16μm的范围内。
8.根据权利要求7所述的铁氧体磁芯,其中所述多个晶粒的平均粒径在7μm至12μm的范围内。
9.一种线圈部件,包含:
Mn-Zn类铁氧体磁芯;和
卷绕在所述Mn-Zn类铁氧体磁芯周围的线圈,
其中所述Mn-Zn类铁氧体磁芯包含多个晶粒,所述多个晶粒包含30摩尔%至40摩尔%的Mn、5摩尔%至15摩尔%的Zn和50摩尔%至60摩尔%的Fe;以及位于所述多个晶粒之间的多个晶界,
所述多个晶粒和所述多个晶界包含Co、Ni、SiO2、CaO和Ta2O5,
所述多个晶粒中所述Co和所述Ni的含量是所述多个晶界中所述Co和所述Ni的含量的两倍以上,
所述多个晶界中所述SiO2、所述CaO和所述Ta2O5的含量是所述多个晶粒中所述SiO2、所述CaO和所述Ta2O5的含量的两倍以上,
磁导率是3000以上,并且
磁芯损耗是800以下。
10.根据权利要求9所述的线圈部件,其中:
所述多个晶粒之间的平均间距在0.5μm至3μm的范围内;并且
所述多个晶粒的平均粒径在3μm至16μm的范围内。
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