[发明专利]用于开关电容调节器的转换速率控制的电路和方法有效
申请号: | 201980009852.8 | 申请日: | 2019-02-14 |
公开(公告)号: | CN111656302B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 托马斯·李;李志鹏;阿尔贝托·亚历山德罗·安吉洛·普杰利;汉斯·梅瓦特 | 申请(专利权)人: | 莱恩半导体股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16;H02M3/07 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 开关 电容 调节器 转换 速率 控制 电路 方法 | ||
1.一种用于开关电容调节器的电路,包括:
第一电容器,其具有第一端和第二端;
第一开关,其具有耦合至输入电压的第一端、耦合至所述第一电容器的第一端的第二端、以及控制端;
第二开关,其具有耦合至所述第一开关的第二端的第一端、第二端、以及控制端;
第三开关,其具有耦合至所述第二开关的第二端的第一端、耦合至所述第一电容器的第二端的第二端、以及控制端;
第四开关,其具有耦合至所述第三开关的第二端的第一端、耦合至电源电压的第二端、以及控制端,
其中在第一状态中:所述第一开关关断,所述第二开关接通,所述第三开关关断,并且所述第四开关接通;
其中在第二状态中:所述第一开关接通,所述第二开关关断,所述第三开关接通,并且所述第四开关关断;
其中所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端以及所述第四开关的控制端中的至少一个被耦合至第一控制信号,所述第一控制信号被控制为在第一恒定预定频率下在具有第一低电压电平的第一低状态和具有第一高电压电平的第一高状态之间重复转换,
其中所述第一控制信号被控制为在所述第一低状态到所述第一高状态之间的第一转换期间具有第一转换速率,所述第一转换速率与在所述第一低状态到所述第一高状态之间的第二转换期间的第二转换速率不同,
其中所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端以及所述第四开关的控制端中的至少另一个被耦合至第二控制信号,所述第二控制信号被控制为在第二恒定预定频率下在具有第二低电压电平的第二低状态和具有第二高电压电平的第二高状态之间重复转换,
其中所述第二控制信号被控制为在所述第二低状态到所述第二高状态之间的第一转换期间具有第三转换速率,所述第三转换速率与在所述第二低状态到所述第二高状态之间的第二转换期间的第四转换速率不同,
其中所述第一低电压电平与所述第二低电压电平不同,并且所述第一高电压电平与所述第二高电压电平不同,并且
其中所述第一转换速率、第二转换速率、第三转换速率和第四转换速率被用于调节所述第二开关的第二端处的电压。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一开关是PMOS FET,并且所述第一开关的控制端是所述PMOS FET的栅极。
3.根据权利要求2所述的电路,其中所述第二开关是NMOS FET,并且所述第二开关的控制端是所述NMOS FET的栅极。
4.根据权利要求2所述的电路,其中所述第三开关是PMOS FET,并且所述第三开关的控制端是所述PMOS FET的栅极。
5.根据权利要求4所述的电路,其中所述第四开关是NMOS FET,并且所述第四开关的控制端是所述NMOS FET的栅极。
6.根据权利要求1所述的电路,其中所述电源电压是接地的。
7.根据权利要求1所述的电路,进一步包括第二电容器,其具有耦合至所述第二开关的第二端的第一端、以及耦合至所述电源电压的第二端。
8.根据权利要求1所述的电路,进一步包括可变电容器,其具有耦合至所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端和所述第四开关的控制端之一的第一端。
9.根据权利要求8所述的电路,其中所述可变电容器是一组开关电容器。
10.根据权利要求8所述的电路,其中所述可变电容器是变容管。
11.根据权利要求1所述的电路,进一步包括:
可变电流源,其具有输出端;和
第三电容器,其具有耦合至所述电源电压的第一端,并且具有耦合至所述可变电流源的输出端以及所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端和所述第四开关的控制端之一的第二端。
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