[发明专利]制备丁烯低聚物的方法

权利要求书

1.一种制备丁烯低聚物的方法，该方法包括：

在由下面式1表示的有机金属催化剂存在下，使包含卤代烃溶剂、非极性烃溶剂和异丁烯单体的聚合溶液低聚的步骤；和通过过滤低聚产物除去所述有机金属催化剂的步骤：

[式1]

在式1中，

M选自第13族的金属和镧系元素，

L各自独立地是包含选自氰基、异氰基、醚基、吡啶基、酰胺基、亚砜基和硝基中的官能团的配位溶剂分子，

R₁至R₄各自独立地是氢、卤素基团、或者被取代的或未被取代的C1-C20烷基，

R₅和R₆各自独立地是氢、C1-C20烷基、C6-C20芳基、或烯丙基，

a、b、c和a+b+c各自独立地是0至3的整数，

d和a+b+c+d各自独立地是1至10的整数，

o、p、q和r各自独立地是1至5的整数，

x和y是1至4的整数并且两者相同，

其中，不进行洗涤低聚产物以除去所述有机金属催化剂的步骤，

其中，所述有机金属催化剂不包含选自第1族、第2族和第11族的金属中的一种或多种金属的卤素盐，

其中，所述过滤使用包含选自硅藻土、二氧化硅、沸石和氧化铝中的一种或多种的过滤器进行，

其中，所述卤代烃溶剂与所述非极性烃溶剂的体积比为25:75至99:1。

2.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，所述卤代烃溶剂是选自一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1-氯丁烷和氯苯中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，所述非极性烃溶剂是选自丁烷、戊烷、新戊烷、己烷、环己烷、甲基环己烷、庚烷、辛烷、苯、甲苯、二甲苯和乙苯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，所述低聚步骤通过间歇式或连续式工艺进行。

5.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，在所述低聚步骤之后并且在所述过滤之前，不进行干燥所述卤代烃溶剂的步骤。

6.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，

M是选自Al、Ga、In、Tl、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；

L是选自乙腈、丙腈、2-甲基丙腈、三甲基乙腈、苄腈、二烷基醚、吡啶、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、硝基甲烷、硝基苯和它们的衍生物中的一种或多种，并且L是配位溶剂分子，其中的氧、氮或碳的未共享电子对与M形成配位键；

R₁至R₄各自独立地是氢、卤素基团或卤素取代的C1-C12烷基，

R₅和R₆各自独立地是氢、C1-C12烷基、C6-C12芳基、或烯丙基。

7.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，所述卤素盐是选自氯化银(AgCl)、氯化锂(LiCl)、氯化钠(NaCl)、氯化钾(KCl)、氯化镁(MgCl₂)、溴化银(AgBr)、溴化锂(LiBr)、溴化钠(NaBr)、溴化钾(KBr)、溴化镁(MgBr₂)、碘化银(AgI)、碘化锂(LiI)、碘化钠(NaI)、碘化钾(KI)和碘化镁(MgI₂)中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，由式1表示的所述有机金属催化剂的硼酸根类大体积阴离子是选自四(苯基)硼酸根、四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-二(三氟甲基)苯基]硼酸根和它们的衍生物中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备丁烯低聚物的方法，其中，通过所述低聚制备的丁烯低聚物的数均分子量为500至5,500。