[发明专利]发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201980001513.5 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN112714969B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 王青;黄冠达;陈小川;董永发;袁雄;李东升;童慧 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制备 方法 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

硅基衬底基板;

在所述硅基衬底基板上的至少一个有机发光二极管器件;

第一封装层,在所述至少一个有机发光二极管器件的远离所述硅基衬底基板的一侧,所述第一封装层包括一个或多个子层;

彩膜层,在所述第一封装层的远离所述至少一个有机发光二极管器件的一侧;以及

第二封装层,在所述彩膜层的远离所述第一封装层的一侧,所述第二封装层包括一个或多个子层;

其中,

所述第一封装层包括层叠的第一子封装层和第二子封装层,所述第二子封装层在所述第一子封装层的远离所述有机发光二极管器件的一侧,所述第一子封装层包括第一子膜层和第二子膜层,所述第二子膜层在所述第一子膜层的远离所述有机发光二极管器件的一侧;

所述第二封装层包括层叠的第三子封装层和第四子封装层,所述第四子封装层在所述第三子封装层的远离所述彩膜层的一侧;以及

所述第一子膜层与所述第二子封装层之间的折射率差的绝对值大于所述第三子封装层与所述第四子封装层之间的折射率差的绝对值。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第二子封装层包括至少一层第一高分子聚合物分子。

3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,所述第一高分子聚合物分子包括聚对二甲苯分子。

4.根据权利要求2所述的发光装置,其中,所述第一子封装层具有多层结构。

5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,所述第一子封装层包括无机材料。

6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述第一子膜层和所述第二子膜层由所述无机材料形成。

7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,

所述第一子膜层的折射率大于所述第二子膜层的折射率,以及

所述第二子膜层的折射率大于或等于所述第二子封装层的折射率。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

所述彩膜层包括多个子彩膜单元,所述多个子彩膜单元具备至少两种颜色,所述多个子彩膜单元布置成阵列。

9.根据权利要求8所述的发光装置,其中,任意两个相邻的不同颜色的子彩膜单元部分地重叠,以及

每个所述子彩膜单元的、与相邻不同颜色的子彩膜单元重叠的部分对应于像素间区域,以及每个所述子彩膜单元的、与相邻不同颜色的子彩膜单元不重叠的部分对应于像素区域。

10.根据权利要求6所述的发光装置,其中,

所述第三子封装层包括第二高分子聚合物分子。

11.根据权利要求10所述的发光装置,其中,所述第三子封装层包括至少一层所述第二高分子聚合物分子。

12.根据权利要求11所述的发光装置,其中所述第二高分子聚合物包括聚对二甲苯分子。

13.根据权利要求10所述的发光装置,其中,所述第四子封装层包括无机材料。

14.根据权利要求10所述的发光装置,其中,

所述第三子封装层的折射率大于所述第四子封装层的折射率。

15.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:盖板,

其中,所述盖板在所述第二封装层的远离所述彩膜层的一侧,以及

所述第二封装层在所述硅基衬底基板上的投影在所述盖板在所述硅基衬底基板上的投影之内。

16.根据权利要求15所述的发光装置,其中,所述第二封装层在所述硅基衬底基板上的投影的面积小于所述盖板在所述硅基衬底基板上的投影的面积。

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