[发明专利]溅射方法

说明书

本发明的溅射方法为使用反应性溅射装置的溅射方法，所述反应性溅射装置具备阴极装置，所述阴极装置朝向应形成于成膜对象物的化合物膜的形成区域排出溅射粒子，与所述形成区域相对的空间为相对区域，所述阴极装置具备：扫描部，用于在所述相对区域中扫描溅蚀区域；和靶，形成有所述溅蚀区域，并且扫描方向上的长度短于所述相对区域，所述扫描部在开始位置与结束位置之间朝向所述相对区域扫描所述溅蚀区域，所述开始位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的所述溅射粒子先到达的第一端部，所述扫描方向上的所述靶的表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置；所述结束位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的另一方的第二端部，所述扫描方向上的所述靶的所述表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置。所述溅射方法在使所述扫描部中的所述靶的速度从所述开始位置起加速至第二扫描速度之后，进一步加速至第二扫描速度，然后减速至第一扫描速度之后，扫描至所述结束位置，从所述第一扫描速度起加速并成为所述第二扫描速度的位置比所述第一端部更靠所述形成区域的内侧，从所述第二扫描速度起减速并成为所述第一扫描速度的位置比所述第二端部更靠所述形成区域的内侧。

技术领域

本发明涉及一种溅射方法，特别是涉及一种适合在大型基板上形成化合物膜的反应性溅射中使用的技术。

本申请基于2018年5月11日在日本申请的专利申请2018-092341号要求优先权，并且在此援引其内容。

背景技术

液晶显示器或有机EL显示器等的平板显示器具备用于驱动显示元件的多个薄膜晶体管。薄膜晶体管具有信道层，信道层的形成材料为例如铟镓锌氧化物(IGZO膜)等的氧化物半导体。近年来，作为信道层的形成对象的基板趋向大型化，作为对大型基板进行成膜的溅射装置，本申请人使用靶扫描溅射装置，从而例如像专利文献1所记载的那样，抑制化合物膜的特性产生偏差。

对于这种溅射装置来说，当成膜之际靶扫描基板时，会控制为从基板轮廓的外侧位置起加速、在基板面内保持匀速并且朝向基板轮廓的外侧减速的状态。如果将横轴设为时间且将纵轴设为阴极速度而在图表中表示该速度变化，则由于在图表中表示速度变化的形状呈大致梯形，因此将该控制称为梯形控制。

专利文献1：日本专利第5801500号公报

然而，对于上述的梯形控制技术来说，尤其是会有阴极的不匀速状态、即在基板边缘部附近膜厚等的特性分布发生变动的可能性，具有想要改善这种特性分布变动的要求。

此外，如果阴极处于低速则膜厚变厚，如果阴极处于高速则膜厚变薄。因此，虽然有时与基板中央附近相比在基板边缘部附近膜厚变厚，具有想要改善基板边缘部附近的膜厚增加的要求。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的，其欲实现以下目的。

1、抑制成膜特性的偏差。

2、提高膜厚均匀性。

3、尤其改善基板边缘部的成膜特性的偏差。