[实用新型]一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备有效
| 申请号: | 201922466667.1 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN210805721U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 冀然 | 申请(专利权)人: | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/04;F26B21/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 266109 山东省青岛市城阳区长城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 清洗 烘干 一体 清理 设备 | ||
本实用新型提出一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备,包括:外壳,外壳内设置有清洗区及漂洗区,与外壳连接有清洗密封门,与外壳连接有漂洗密封门;清洗池,与清洗池连接有清洗液进、出液管;漂洗池,与漂洗池连接有漂洗液进、出液管;超声波发生器,位于清洗池及漂洗池的底部;纵向升降柱,位于清洗池与漂洗池的两侧,纵向升降柱连接于外壳的顶部;直线导轨,横向设置于清洗池及漂洗池上方,直线导轨与纵向升降柱连接,导轨上连接有两滑块;基片夹具,与滑块连接;静电去除装置,与外壳的内壁连接;烘干装置,与外壳内壁连接。本实用新型能够实现批量化清洗并烘干,并能有效去除基片上的静电。
技术领域
本实用新型涉及一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备。
背景技术
在半导体制造工艺中,基片表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素,而常用半导体制造工艺中的沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等,都有可能在基片表面引入污染或颗粒,导致基片表面的清洁度下降,使得制造完成的半导体器件合格率低。因此,如何清除基片表面的污染和异物质颗粒一直是半导体技术领域的研究热点。
发明内容
本实用新型针对上述的技术问题,提出一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备,此设备能够实现批量化清洗并烘干,并能有效去除基片上的静电。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备,包括:
外壳,所述外壳内设置有清洗区及漂洗区,在所述清洗区内与所述外壳连接有清洗密封门,在所述漂洗区内与外壳连接有漂洗密封门;
清洗池,位于所述清洗区内与所述外壳连接,与所述清洗池连接有清洗液进、出液管;
漂洗池,位于所述漂洗区内与所述外壳连接,与所述漂洗池连接有漂洗液进、出液管;
超声波发生器,位于所述清洗池及所述漂洗池的底部;
纵向升降柱,位于所述清洗池与所述漂洗池的两侧、可向外壳底端竖向伸缩,所述纵向升降柱连接于所述外壳的顶部;
直线导轨,横向设置于所述清洗池及所述漂洗池上方,所述直线导轨与所述纵向升降柱连接,所述导轨上连接有可滑动的两滑块,所述滑块可横向移动至所述清洗池及所述漂洗池上方;
基片夹具,与所述滑块连接用于夹持基片;
烘干装置,位于所述漂洗区内、漂洗池的上方用于对漂洗后的基片烘干,所述烘干装置与所述外壳的内壁连接;
静电去除装置,位于所述清洗区内、清洗池上方用于对烘干后的基片去除静电,所述静电去除装置与所述外壳的内壁连接。
作为优选地,所述清理设备还包括控制器,所述控制器与所述超声波发生器、所述纵向升降柱、所述滑块、所述静电去除装置以及所述烘干装置电性连接。
作为优选地,所述外壳顶部连接有风机,所述风机的进风口处连接有过滤网,所述风机与所述控制器电性连接。
作为优选地,所述外壳内壁上设置有用于限位纵向升降柱升降位置的设置有接近开关,所述直线导轨两端设置有用于限位滑块运动行程的限位开关。
作为优选地,所述基片夹具包括与所述滑块连接的夹持柱以及用于固定基片边缘的多个弹性夹具,所述弹性夹具均匀排布在所述夹持柱上。
作为优选地,所述静电去除装置为离子风扇。
作为优选地,所述烘干装置包括鼓风机以及位于所述鼓风机出风口处的加热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





