[实用新型]一种并联IGBT峰值过流检测保护电路

说明书

一种并联IGBT峰值过流检测保护电路，包括一个峰值过流检测单元以及多个检测信号采集单元；所述过流检测单元的输入端包括第一引脚OCP和第二引脚OCN，所述检测信号采集单元包括电流电压转换模块、跨导单元、二极管以及反馈模块；通过多个检测信号采集单元采集多个并联的IGBT的过流检测引脚信号，将采集的多个信号连接到同一个过流检测单元，不仅可节省成本、减小体积，而且更易于布线；并且，相对于平均电流检测方法,采用本方案可以选择出最大的过流值,有利于更精确的控制过流。

技术领域

本实用新型涉及过流检测保护电路领域，具体涉及一种并联IGBT峰值过流检测保护电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOS(metal oxide semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在IGBT并联使用的场合中，每个IGBT集成片上的过流信号都需要单独的检测通道进行过流检测，即每个IGBT连接一个过流检测单元并通过该过流检测单元判断对应的IGBT是否过流。

上述将每个IGBT连接一个过流检测单元的方案，不仅成本较高，而且体积大，特别是并联IGBT两个以上，现有技术中存在用以解决的检测电路，但其实施过程中依旧存在实施成本高以及占用体积大的不足。

发明内容

本实用新型提供了一种并联IGBT峰值过流检测保护电路，接下来对本技术方案做进一步地阐述。

一种并联IGBT峰值过流检测保护电路，包括一个峰值过流检测单元以及多个检测信号采集单元；所述过流检测单元的输入端包括第一引脚OCP和第二引脚OCN，所述检测信号采集单元包括电流电压转换模块、跨导单元、二极管以及反馈模块；

所述的任意一个电流电压转换模块一端连接至IGBT的过流检测引脚，所有的电流电压转换模块的另一端连接过流检测单元的第二引脚OCN；所述跨导单元具有第一输入端和第二输入端两个输入端，所述第一输入端连接至IGBT和电流电压转换模块之间的节点，跨导单元的输出连接二极管的正极，所述的所有的二极管的负极共同连接于节点P作为共同输出节点，此共同输出节点连接过流检测单元的第一引脚OCP；所述反馈模块耦接于所述共同输出节点P与所述跨导单元的第二输入端之间；

过流检测单元的第一引脚OCP和第二引脚OCN之间接有滤波电路。

进一步地，所述滤波电路包括一个电阻和一个电容，所述电阻和电容并联连接。

进一步地，所述电流电压转换模块采用电阻。

进一步地，跨导单元为运算放大器。进一步地，反馈模块直接采用跨界导线，在满足电路功能的前提下，大幅缩减电路体积。

有益效果：与现有技术相比，本实用新型通过多个检测信号采集单元采集多个并联的IGBT的过流检测引脚信号，将采集的多个信号连接到同一个过流检测单元，不仅可节省成本、减小体积，而且更易于布线；并且，相对于平均电流检测方法,采用本方案可以选择出最大的过流值,有利于更精确的控制过流。

附图说明

图1：本实用新型并联IGBT峰值过流检测保护电路的示意图；

图2：本实用新型的电路结构示意图；