[实用新型]吸附装置及检测设备

说明书

本实用新型公开了一种吸附装置及检测设备，所述吸附装置包括基板和设于所述基板用于吸附待吸附物的吸附板；所述基板的承载面包括中心区域和边缘区域，所述基板设于所述边缘区域，所述吸附板具有通气道，所述中心区域形成非吸附区域。该吸附装置可以减少对待吸附物造成的形变，特别是待吸附物中心区域的形变，进而保证检测结果的准确性和一致性。

技术领域

本实用新型涉及半导体检测设备技术领域，尤其是在晶圆生产、检测过程中用于对晶圆进行固定、转移的吸附装置。本实用新型还涉及设有所述吸附装置的晶圆检测设备。

背景技术

晶圆作为芯片的基底，若晶圆上存在缺陷，缺陷将导致制备而成的芯片失效，从而导致芯片的良品率降低，制造成本增高，故常用的手段是在芯片制备前或制备过程中对晶圆表面缺陷进行检测，晶圆表面缺陷检测是指检测晶圆表面是否存在凹槽、颗粒、划痕等缺陷及缺陷的位置，在缺陷检测过程中，需要对待测晶圆进行支承和转移。

如图1所示，现有技术中，一般采用晶圆吸盘对晶圆进行支承和转移，吸盘1′为中空式结构，其纵轴的内部设有真空通道，吸盘1′在与晶圆4′的接触面上有多圈同心的环形槽7′，真空形成的负压通过吸盘1′上表面的一系列环形槽7′将晶圆4′吸附，晶圆4′置于吸盘1′上时，该环形槽7′内均为真空的作用空间，直接吸附晶片，晶圆4′位于吸盘1′以外的范围无真空作用；真空与晶圆4′作用空间很大，起到密封作用的为吸盘1′的边缘平面。

由于吸盘1′在对待测晶圆4′进行吸附的过程中需要一直对吸盘1′进行抽真空，吸盘1′的吸附面会持续产生吸附力，若吸附面产生的吸附力不均匀，会造成晶圆4′的变形，进而影响检测结果的准确性和一致性。

并且，吸盘1′与晶圆4′的大面积接触对吸盘1承载面的平面度要求很高，也极易产生划痕。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种吸附装置。该吸附装置可以减少对待吸附物造成的形变，特别是待吸附物中心区域的形变，进而保证检测结果的准确性和一致性。

本实用新型的另一目的是提供一种设有所述吸附装置的检测设备。

为实现上述目的，本实用新型提供一种吸附装置，包括基板和设于所述基板用于吸附待吸附物的吸附板；所述基板的承载面包括中心区域和边缘区域，所述吸附板设于所述边缘区域，所述吸附板包括通气道，所述中心区域形成非吸附区域。

优选地，所述中心区域的上表面低于所述边缘区域的上表面。

优选地，所述基板边缘区域中具有槽位，所述吸附板嵌入所述槽位中；或者，所述吸附板设置于所述边缘区域表面。

优选地，所述槽位为环形凹槽，所述吸附板为嵌入所述环形凹槽的环形结构。

优选地，还包括升降组件，所述升降组件配置为至少沿垂直于所述吸附板的吸附面的方向升降；

所述升降组件位于所述基板的中心区域中，或者，位于所述吸附板中。

优选地，所述槽位的内部设有真空通道，所述通气道和所述真空通道通气连通，所述吸附板上表面的通气道在所述真空通道抽真空时产生吸附力。

优选地，所述真空通道包括形成在所述槽位底部的多道环形槽和多道径向槽，所述径向槽连通所述环形槽，所述吸附板覆盖于所述环形槽和径向槽的顶部开口，所述通气道与所述环形槽和径向槽通气连通。

优选地，还包括用于连通所述真空通道和真空设备的连接通道；所述连接通道包括连通所述真空通道的径向通道和连通所述径向通道的的纵向通道，所述径向通道经由纵向延伸的孔道与所述环形槽和/或径向槽通气连通。

优选地，所述通气道为孔或沟槽。

优选地，所述边缘区域设有用于容纳所述吸附板的槽位，所述槽位侧壁的上表面低于或齐平于所述吸附板的上表面。