[实用新型]硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED

权利要求书

1.硅基应力协变衬底，其特征在于，包括：

一双面抛光硅单晶基底(11)；

一薄氮化锆导电反光应力协变层(12)，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层(12)的厚度为50nm～350nm；

一薄氮化镓单晶薄膜模板层(13)，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层(12)上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层(13)的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层(12)的厚度。

2.根据权利要求1所述的硅基应力协变衬底，其特征在于，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层(13)的厚度为0.5μm～5μm。

3.根据权利要求1所述的硅基应力协变衬底，其特征在于，所述双面抛光硅单晶基底的直径包括但不限于2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸。

4.垂直结构氮化镓LED，包括：顶部氧化物透明电极(3)、底部欧姆接触金属电极(4)，以及位于顶部氧化物透明电极(3)和底部欧姆接触金属电极(4)之间的氮化镓LED器件结构(2)和硅基应力协变衬底(1)，其特征在于，所述硅基应力协变衬底(1)为权利要求1-3所述的任一项硅基应力协变衬底。

5.根据权利要求4所述的垂直结构氮化镓LED，其特征在于，所述氮化镓LED器件结构(2)从硅基应力协变衬底(1)至顶部氧化物透明电极(3)依次为：2～5μm厚n-GaN层(21)、3～9个周期InGaN/GaN多量子阱蓝光发光层(22)、50～150nm厚p-GaN层(23)。

6.根据权利要求5所述的垂直结构氮化镓LED，其特征在于，所述n-GaN层(21)的厚度为2～5μm，所述InGaN/GaN多量子阱蓝光发光层(22)为3～9个周期，所述p-GaN层(23)的厚度为50～150nm。

7.根据权利要求4所述的垂直结构氮化镓LED，其特征在于，所述底部欧姆接触金属电极(4)从硅基应力协变衬底(1)至下表面依次为：氮化锆互扩散阻挡层(41)、金属锆电极层(42)、金属金电极盖层(43)。

8.根据权利要求7所述的垂直结构氮化镓LED，其特征在于，所述氮化锆互扩散阻挡层(41)的厚度为20～200nm，金属锆电极层(42)的厚度为50～500nm，金属金电极盖层(43)的厚度为50～500nm。