[实用新型]辐射探测装置及芯片

权利要求书

1.一种辐射探测装置，其特征在于，包括辐射探测电路、脉冲模式电路和电流模式电路；

所述辐射探测电路包括伽马射线探测探头和中子探测探头；

所述脉冲模式电路包括前置放大单元和次级主放大单元；所述前置放大单元的输入端用于在所述辐射探测电路的剂量率小于等于剂量限定值时获取所述辐射探测电路的探测信号；所述前置放大单元的输出端用于通过所述次级主放大单元连接外部处理器；

所述电流模式电路包括电流测量单元和电流转换单元；所述电流测量单元的输入端用于在所述辐射探测电路的剂量率大于剂量限定值时获取所述辐射探测电路的探测信号，所述电流测量单元的输出端用于通过所述电流转换单元连接外部处理器。

2.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，所述伽马射线探测探头包括第一电极、第二电极和碲锌镉晶体；

其中，所述第一电极设置在所述碲锌镉晶体一侧，并用于接入偏压；所述第二电极设置在所述碲锌镉晶体一侧，并用于接地。

3.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，所述中子探测探头包括半导体器件以及设置在所述半导体器件一侧的中子转换层；

所述中子转换层用于将入射中子转换为反应信号；

所述半导体器件用于根据所述反应信号生成探测信号。

4.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，所述脉冲模式电路还包括幅度甄别单元和单稳态触发单元；

所述前置放大单元的输出端用于依次通过所述次级主放大单元、幅度甄别单元和单稳态触发单元连接外部处理器。

5.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，还包括设置在芯片外壳内的内置处理器；

所述前置放大单元的输出端通过所述次级主放大单元连接所述内置处理器；所述电流测量单元的输出端通过所述电流转换单元连接内置处理器。

6.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，所述前置放大单元包括电荷灵敏放大器，所述次级主放大单元包括成形滤波电路。

7.根据权利要求4所述的辐射探测装置，其特征在于，所述幅度甄别单元包括甄别器或第一模数转换电路，所述单稳态触发单元包括单稳态触发电路。

8.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，所述电流测量单元包括跨阻放大器或电流采样电路；所述电流转换单元可选用第二模数转换电路。

9.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其特征在于，还包括升压模块；

其中，所述升压模块用于接入芯片级电压，并对所述芯片级电压作升压处理，将升压后的所述芯片级电压为所述辐射探测电路提供偏压。

10.一种辐射探测芯片，其特征在于，包括芯片外壳以及设置在所述芯片外壳内的如权利要求1至9任意一项所述的辐射探测装置。